[发明专利]二噻吩噻二唑半导体和相关器件

权利要求书

1.一种包含一个或多个由式(I)表示的部分的半导体化合物：

其中：

W选自由S、Se和Te组成的组；以及

每个R¹独立地选自由H、卤素、-CN、NO₂、R²、-L-R³、OH、OR²、OR³、NH₂、NHR²、N(R²)₂、NR²R³、N(R³)₂、SH、SR²、SR³、S(O)₂OH、-S(O)₂OR²、-S(O)₂OR³、C(O)H、C(O)R²、C(O)R³、C(O)OH、C(O)OR²、C(O)OR³、C(O)NH₂、C(O)NHR²、C(O)N(R²)₂、C(O)NR²R³、C(O)N(R³)₂、SiH₃、SiH(R²)₂、SiH₂(R²)和Si(R²)₃组成的组，其中L选自由二价C_1-40烷基基团、二价C_2-40烯基基团、二价C_1-40卤代烷基基团和共价键组成的组；每个R²独立地选自由C_1-40烷基基团、C_2-40烯基基团、C_2-40炔基基团和C_1-40卤代烷基基团组成的组；并且每个R³独立地选自由C_3-10环烷基基团、C_6-14芳基基团、C_6-14卤代芳基基团、3-12元环杂烷基基团和5-14元杂芳基基团组成的组，其每个任选被1-5个独立地选自由卤素、-CN、NO₂、R²、OR²和SR²组成的组的取代基取代。

2.权利要求1所述的化合物，其中所述化合物是具有第一重复单元M₁的聚合物，所述第一重复单元M₁包含一种或多种由式(I)表示的二价单元，并且其中所述聚合物具有从3至1,000的聚合度(n)。

3.权利要求2所述的化合物，其中M₁选自由下列组成的组：

其中：

pi-2是任选取代的共轭多环部分；

Ar，在每次出现时，独立地是任选取代的5元或6元芳基或杂芳基基团；

Z是共轭非环状连接体；

m和m′独立地是0、1、2、3、4、5或6，条件是m和m′中的至少一个不是0；以及

p和p′独立地是0和1，条件是p和p′中的至少一个是1。

4.权利要求3所述的化合物，其中W是S。

5.权利要求3或4所述的化合物，其中pi-2是任选取代的C_8-26芳基基团或8-26元杂芳基基团。