[实用新型]一种垂直结构的发光二极管

摘要

本实用新型公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层，直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽，第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度，第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔；设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层；贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层，直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。

主权项

1.一种垂直结构的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层以及透明导电薄膜层，其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；贯穿所述透明导电薄膜层、所述p型GaN层、所述电子屏蔽层、所述多量子阱结构层以及所述n型GaN层，直至暴露出所述未掺杂GaN层的多个第一凹槽，其中，所述第一凹槽的第一表面与所述衬底之间成预设角度，所述第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着所述第一表面贯穿所述未掺杂GaN层、所述第二缓冲层、所述第一缓冲层以及所述衬底的多个通孔，所述通孔与所述衬底之间成所述预设角度；依次设置在所述第一表面以及所述通孔上的反光层、绝缘层以及第一金属导电层；贯穿所述衬底、所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述未掺杂GaN层，直至暴露出所述n型GaN层的多个第二凹槽，其中，所述第二凹槽为正梯形结构。