[实用新型]一种带有SRAM的驱动IC金属层结构有效
| 申请号： | 201721715059.4 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207572363U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 何健;高金广;李弘历 | 申请（专利权）人： | 新相微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇区漕河泾新兴*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种带有SRAM的驱动IC金属层结构，包括：第一导电层；第二导电层，与所述第一导电层间隔开，所述第二导电层形成在所述第一导电层上方；第三导电层，与所述第二导电层间隔开，所述第三导电层形成在所述第二导电层上方；所述第一导电层和所述第二导电层之间以及所述第二导电层和所述第三导电层之间均形成信号通道。本实用新型能够在不改变金属层面积的情况下，减少金属层的层数，延长互联线的长度，降低器件复杂性，有效提升集成电路性能，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 第二导电层 第一导电层 本实用新型 金属层结构 导电层 金属层 驱动IC 导电层形成 降低器件 信号通道 互联线 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种带有SRAM的驱动IC金属层结构，包括：第一导电层；第二导电层，与所述第一导电层间隔开，所述第二导电层形成在所述第一导电层上方；第三导电层，与所述第二导电层间隔开，所述第三导电层形成在所述第二导电层上方；所述第一导电层和所述第二导电层之间以及所述第二导电层和所述第三导电层之间均形成信号通道。
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