[实用新型]一种SiGe材料CMOS器件

摘要

本实用新型涉及一种SiGe材料CMOS器件，包括：Si_1‑xGe_x/Si虚衬底、Si_1‑xGe_x沟道层、介质层、隔离区、N阱区、PMOS区域和NMOS区域；其中，Si_1‑xGe_x沟道层设置于Si_1‑xGe_x/Si虚衬底表面上；介质层设置于Si_1‑xGe_x沟道层上；隔离区设置于Si_1‑xGe_x沟道层和介质层内；N阱区设置于Si_1‑xGe_x沟道层内；PMOS区域和NMOS区域分别设置于隔离区的两侧且PMOS区域设置于N阱区上。本实用新型提供的CMOS器件以Si_1‑xGe_x材料为CMOS器件沟道，其NMOS界面特性好，载流子迁移率高，PMOS载流子迁移率显著高于Si器件，器件工作速度高，频率特性好；且其制备工艺均与现有Si工艺兼容，在工艺制造、降低成本方面具有十分明显的优势。

主权项

1.一种SiGe材料CMOS器件，其特征在于，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)、Si1‑xGex沟道层(102)、介质层(103)、隔离区(104)、N阱区(105)、PMOS区域(106)和NMOS区域(107)；其中，所述Si1‑xGex沟道层(102)设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；所述介质层(103)设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)上；所述隔离区(104)设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)和所述介质层(103)内；所述N阱区(105)设置于所述Si1‑xGex沟道层(102)内；所述PMOS区域(106)和所述NMOS区域(107)分别设置于所述隔离区(104)的两侧且所述PMOS区域(106)设置于所述N阱区(105)上。