[实用新型]一种SiGe材料CMOS器件

权利要求书

1.一种SiGe材料CMOS器件，其特征在于，包括：Si_1-xGe_x/Si虚衬底(101)、Si_1-xGe_x沟道层(102)、介质层(103)、隔离区(104)、N阱区(105)、PMOS区域(106)和NMOS区域(107)；其中，所述Si_1-xGe_x沟道层(102)设置于所述Si_1-xGe_x/Si虚衬底(101)表面上；所述介质层(103)设置于所述Si_1-xGe_x沟道层(102)上；所述隔离区(104)设置于所述Si_1-xGe_x沟道层(102)和所述介质层(103)内；所述N阱区(105)设置于所述Si_1-xGe_x沟道层(102)内；所述PMOS区域(106)和所述NMOS区域(107)分别设置于所述隔离区(104)的两侧且所述PMOS区域(106)设置于所述N阱区(105)上。

2.根据权利要求1所述的SiGe材料CMOS器件，其特征在于，还包括钝化层(108)，所述钝化层(108)设置于所述介质层(103)上。

3.根据权利要求1所述的SiGe材料CMOS器件，其特征在于，所述Si_1-xGe_x/Si虚衬底(101)由下往上包括Si衬底(1011)和Si_1-xGe_x外延层(1012)，利用激光再晶化工艺处理所述Si衬底(1011)和所述Si_1-xGe_x外延层(1012)后形成所述Si_1-xGe_x/Si虚衬底(101)。

4.根据权利要求3所述的SiGe材料CMOS器件，其特征在于，所述Si_1-xGe_x外延层中x取值为0.7～0.9。

5.根据权利要求4所述的SiGe材料CMOS器件，其特征在于，所述Si_1-xGe_x外延层的厚度为450～500nm。

6.根据权利要求1所述的SiGe材料CMOS器件，其特征在于，所述PMOS区域(106)包括PMOS源区、PMOS漏区、PMOS栅极、PMOS源区电极及PMOS漏区电极；其中，所述PMOS源区和所述PMOS漏区设置于所述N阱区(105)内，所述PMOS栅极设置于所述N阱区(105)上。

7.根据权利要求1所述的SiGe材料CMOS器件，其特征在于，所述NMOS区域(107)包括NMOS源区、NMOS漏区、NMOS栅极、NMOS源区电极及NMOS漏区电极；其中，所述NMOS源区和所述NMOS漏区设置于所述Si_1-xGe_x沟道层(102)内，所述NMOS栅极设置于所述Si_1-xGe_x沟道层(102)上。