[实用新型]一种背面场板结构HEMT器件有效
| 申请号： | 201721100656.6 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN207183255U | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 吴华龙;赵维;何晨光;张康;贺龙飞;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所44216 | 代理人： | 刘卉 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种背面场板结构HEMT器件，包括从下往上依次设置的背面场板、衬底、缓冲层、第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层上设置有漏极和源极，第一半导体层与第二半导体层为异质结构且在两者的界面处形成有二维电子气沟道，漏极和源极与第二半导体层形成欧姆接触并通过所述二维电子气沟道相连接；当HEMT器件为MIS结构HEMT器件时，第二半导体层位于漏极与源极之间的表面上设置有一层栅极氧化层，栅极氧化层上设置有栅极；当HEMT器件为增强型HEMT器件时，第二半导体层位于漏极与源极之间的表面上设置有栅极，且栅极与第二半导体层形成肖特基接触。本实用新型通过设置于衬底背面的高导热性场板电极能改善器件内的电场分布、增强衬底的散热能力，从而提高HEMT器件的耐压特性与高温工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 板结 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种背面场板结构HEMT器件，该HEMT器件为MIS结构HEMT器件或增强型HEMT器件，其特征在于：该HEMT器件包括从下往上依次设置的背面场板（1）、衬底（2）、缓冲层（3）、第一半导体层（4）和第二半导体层（5），所述第二半导体层（5）上设置有漏极（6）和源极（7），所述第一半导体层（4）与第二半导体层（5）为异质结构且在两者的界面处形成有二维电子气沟道，所述漏极（6）和源极（7）与第二半导体层（5）形成欧姆接触并通过所述二维电子气沟道相连接；其中，当HEMT器件为MIS结构HEMT器件时，所述第二半导体层（5）位于漏极（6）与源极（7）之间的表面上设置有一层栅极氧化层（9），所述栅极氧化层（9）上设置有栅极（8）；当HEMT器件为增强型HEMT器件时，所述第二半导体层（5）位于漏极（6）与源极（7）之间的表面上设置有栅极（8），且所述栅极（8）与第二半导体层（5）形成肖特基接触。
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