[实用新型]利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路

摘要

本实用新型提供一种利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路，属于G‑M计数管高压隔离电路技术领域，以解决目前的G‑M计数管高压隔离电路中使用电磁继电器存在体积重量大、功耗较高以及存在开关噪声干扰等缺点的问题。包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G‑M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；R1一端用于与控制端连接，R1另一端与Q1基极连接，Q1发射极接地，Q1集电极与R2一端连接，R2另一端分别与R3一端和R4一端连接，R3另一端分别与高压+HV和Q2发射极连接，R4另一端与Q2基极连接，Q2集电极与R6一端连接，R6另一端与GM1阳极连接，R5一端与GM1阴极连接，R5另一端接地。

主权项

一种利用半导体三极管实现的G‑M计数管高压隔离电路，其特征在于，包括限流电阻R1、NPN型三极管Q1、高压限流电阻R2、高压偏置电阻R3、限流电阻R4、PNP型三极管Q2、G‑M计数管GM1、阳极电阻R6和阴极电阻R5；所述限流电阻R1的一端用于与控制端连接且控制端用于输出高电平或低电平，限流电阻R1的另一端与NPN型三极管Q1的基极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，NPN型三极管Q1的集电极与高压限流电阻R2的一端连接，所述高压限流电阻R2的另一端分别与高压偏置电阻R3的一端和限流电阻R4的一端连接，所述高压偏置电阻R3的另一端分别与高压+HV和PNP型三极管Q2的发射极连接，所述限流电阻R4的另一端与PNP型三极管Q2的基极连接，所述PNP型三极管Q2的集电极与阳极电阻R6的一端连接，所述阳极电阻R6的另一端与G‑M计数管GM1的阳极连接，所述阴极电阻R5的一端与G‑M计数管GM1的阴极连接，阴极电阻R5的另一端接地。