[实用新型]半导体晶片等离子蚀刻装置

摘要

本实用新型公开了一种半导体晶片等离子蚀刻装置，包括蚀刻腔和喷气装置，蚀刻腔呈中空结构，其上端敞口，在敞口处配置有介电板，喷气装置竖向穿设在介电板上，其下端与蚀刻腔内部连通，介电板的上表面设有TCP线圈；蚀刻腔内设有支撑座，支撑座上水平安装有下部电极板；喷气装置包括第一主体和第二主体，二者均由蓝宝石材料加工而成；第一主体上设有注气孔a和注气孔b；第二主体内设有流动孔c和流动孔d，流动孔c贯穿第二主体上下两端，第二主体的下端周向外缘设有至少一个与流动孔d相连通的排出孔。提高了蚀刻装置的整体稳定性，降低其中喷气装置的损耗率，同时提高蚀刻产品的良品率，降低装置生产加工难度，延长了装置的使用寿命。

主权项

一种半导体晶片等离子蚀刻装置，包括蚀刻腔(1)和喷气装置(2)，其特征在于：所述蚀刻腔(1)呈中空结构，其上端敞口，在敞口处配置有与其相适应的介电板(3)，所述喷气装置(2)竖向穿设在介电板(3)上，其下端与蚀刻腔(1)内部连通，介电板(3)的上表面设有TCP线圈(4)；所述蚀刻腔(1)内设有用于支撑半导体晶片的支撑座(5)，该支撑座(5)上水平安装有下部电极板(6)；所述喷气装置(2)包括第一主体(21)和第二主体(22)，二者均由蓝宝石材料加工而成；所述第一主体(21)内沿其轴向设有流动孔a(210)和流动孔b(211)，其中流动孔a(210)贯穿第一主体(21)的上下两端，第一主体(21)外壁上设有分别与流动孔a(210)和流动孔b(211)连通的注气孔a(212)和注气孔b(213)；所述第二主体(22)内沿其轴向设有流动孔c(220)和流动孔d(221)，其中流动孔c(220)贯穿第二主体(22)上下两端，第二主体(22)的下端周向外缘设有至少一个与流动孔d(221)相连通的排出孔(222)；所述第二主体(22)的上端与第一主体(21)的下端固定连接，且流动孔c(220)与流动孔a(210)连通，流动孔d(221)与流动孔b(211)连通。