[实用新型]半导体晶片等离子蚀刻装置

权利要求书

1.一种半导体晶片等离子蚀刻装置，包括蚀刻腔(1)和喷气装置(2)，其特征在于：所述蚀刻腔(1)呈中空结构，其上端敞口，在敞口处配置有与其相适应的介电板(3)，所述喷气装置(2)竖向穿设在介电板(3)上，其下端与蚀刻腔(1)内部连通，介电板(3)的上表面设有TCP线圈(4)；

所述蚀刻腔(1)内设有用于支撑半导体晶片的支撑座(5)，该支撑座(5)上水平安装有下部电极板(6)；

所述喷气装置(2)包括第一主体(21)和第二主体(22)，二者均由蓝宝石材料加工而成；

所述第一主体(21)内沿其轴向设有流动孔a(210)和流动孔b(211)，其中流动孔a(210)贯穿第一主体(21)的上下两端，第一主体(21)外壁上设有分别与流动孔a(210)和流动孔b(211)连通的注气孔a(212)和注气孔b(213)；

所述第二主体(22)内沿其轴向设有流动孔c(220)和流动孔d(221)，其中流动孔c(220)贯穿第二主体(22)上下两端，第二主体(22)的下端周向外缘设有至少一个与流动孔d(221)相连通的排出孔(222)；

所述第二主体(22)的上端与第一主体(21)的下端固定连接，且流动孔c(220)与流动孔a(210)连通，流动孔d(221)与流动孔b(211)连通。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述支撑座(5)呈圆盘状，其上沿其中轴线设有竖直向上延伸的第一凸起部(50)，其外缘设有竖直向上延伸的第二凸起部(51)，所述下部电极板(6)的下侧设有分别与第一凸起部(50)和第二凸起部(51)相适应的第一凹陷部(60)和第二凹陷部(61)，第一凸起部(50)嵌入第一凹陷部(60)中，第二凸起部(51)嵌入第二凹陷部(61)中。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述下部电极板(6)的径向外侧套设有绝缘材质的边缘环(52)。

4.根据权利要求2或3所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述TCP线圈(4)呈同心圆结构并与喷气装置(2)同轴设置。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述流动孔a(210)和流动孔c(220)分别沿第一主体(21)和第二主体(22)的中轴线设置，流动孔a(210)和流动孔c(220)内径相同均呈中空圆柱孔状结构；

所述流动孔b(211)与流动孔a(210)同轴设置，且处于流动孔a(210)的径向外侧，流动孔d(221)与流动孔c(220)同轴设置，并处于流动孔c(220)的径向外侧，流动孔b(211)与流动孔d(221)大小一致，均呈环状结构。

6.根据权利要求1或2所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述排出孔(222)呈环形阵列均匀分布在第二主体(22)的下端。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述第一主体(21)的上端壁上设有向下凹陷的环槽(214)，且该环槽(214)处于流动孔a(210)的外侧，环槽(214)内配置与其相适应的密封盖(215)。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述第一主体(21)和第二主体(22)均呈圆柱体结构，且第一主体(21)的直径大于第二主体(22)的直径。

9.根据权利要求8所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述第一主体(21)下端具有沿其轴向向上延伸呈圆柱状的凹槽(216)，该凹槽(216)的直径与第二主体(22)的直径相适应，所述第二主体(22)的上端嵌入该凹槽(216)中。

10.根据权利要求1所述的半导体晶片等离子蚀刻装置，其特征在于：所述第一主体(21)外壁在注气孔a(212)和注气孔b(213)的位置设有沉槽(217)，所述沉槽(217)底壁为光滑平面结构。