[实用新型]一种应用阵列式接触孔的瞬态电压抑制器件有效
| 申请号： | 201720559006.1 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN206947330U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人： | 江苏应能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙)32294 | 代理人： | 钱锁方 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种应用阵列式接触孔的瞬态电压抑制器件，包括硅基衬底，处于硅基衬底上表面的外延层，以及处于外延层上方的金属层，在外延层上表面与金属层下表面之间形成层间介质层，层间介质层上阵列有两个或两个以上贯穿层间介质层上下表面的接触孔，金属层穿过接触孔与外延层接触，金属层上表面外周形成钝化层，金属层上表面的中部形成平坦的接线区域，由接线区域与TVS器件的引线电连接。层间介质层中开设多个贯穿层间介质层上下表面的接触孔且多个接触孔呈阵列式布置，保证金属层与外延层之间的接触面的同时，在金属沉积时金属层的上表面会形成更平坦的接触面积，使引线更能够完全接受金属层，大幅度提高TVS芯片的封装良率和器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用 阵列 接触 瞬态 电压 抑制 器件 | ||
【主权项】：
一种应用阵列式接触孔的瞬态电压抑制器件，包括硅基衬底，其特征在于，还包括处于硅基衬底上表面的外延层，以及处于外延层上方的金属层，在外延层上表面与金属层下表面之间形成层间介质层，层间介质层上阵列有两个或两个以上贯穿层间介质层上下表面的接触孔，金属层穿过接触孔与外延层接触，金属层上表面外周形成钝化层，金属层上表面的中部形成平坦的接线区域，由接线区域与TVS器件的引线电连接。
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