[实用新型]一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构

摘要

本实用新型的一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层。P层上设有栅极、源极、漏极、二极管周边设有与栅极、源极、漏极相隔离的绝缘体层二极管的一端与漏极相连接，二极管的另一端与源极相连接。在P层上加装一个二极管并直接将二极管与源极、漏极相连接。从而解决了现有技术中因增加二极管反并联连接而带来的安装成本的问题。

主权项

一种P层集成二极管半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述器件结构包括基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层、外接金属连接层，所述基地金属层、N型衬底层、N型外延层、P层和外接金属连接层依次设置；所述P层上设有栅极、源极、漏极、二极管；所述二极管周边设有与所述栅极、所述源极、所述漏极相隔离的绝缘体层；所述二极管的一端与所述漏极相连接，所述二极管的另一端与所述源极相连接。