[实用新型]CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器有效
| 申请号： | 201720285882.X | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN206557428U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/122 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 天津市西青区宾水*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 集成 高效率 双向 光栅 耦合器 | ||
【主权项】：
CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器：由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，其中均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，两个模式转换器分别作为双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模脊形光波导的连接，可以实现近似无损耗的光传输以及模式转换；一个双介质包层结构：由SiO2和Si3N4两层组成，位于双向光栅耦合器的上方，用于抑制双向光栅耦合器对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片：作为CMOS后工艺的衬底材料，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层：位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器的下包层；一个环形金属对准标记：位于双介质包层结构的上方，环绕在双向光栅耦合器中均匀光栅的周围，用于光栅测试时对单模光纤的对准。
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- 本实用新型公开了一种基于波导布拉格光栅的反射型窄带滤波器，其特征是，包括基底层、下波导层、中波导层和上波导层，所述下波导层、中波导层和上波导层顺序叠接在基底层的上表面上，所有的波导均为平板条形波导，所述上波导层的顶部设有等周期的布拉格光栅，所述基底层的宽度尺寸要大于下波导层、中波导层、上波导层的宽度尺寸。这种滤波器结构紧凑，光信号传输距离长、易于制作、制造成本低且与CMOS兼容。
- CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器-201720285882.X
- 张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 - 天津工业大学
- 2017-03-20 - 2017-10-13 - G02B6/124
- CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。
- 光耦合器-201580072171.8
- X·罗滕伯格;T·克拉尔斯;D·韦克吕斯 - IMEC非营利协会
- 2015-12-28 - 2017-08-29 - G02B6/124
- 一种用于将光信号(5)从集成波导(4)光学向外耦合到自由空间中的光耦合器(8)，该光耦合器包括多个微结构(202)。该多个微结构(202)在形状和位置上被适配成补偿该光信号(5)在该光耦合器(8)中传播时的衰减并且提供该光信号(5)在自由空间传播中时的功率分布(201),以使得此功率分布(201)对应于预定目标功率分布。所述微结构中的每一个形成光学散射中心，且所述微结构根据非一致数量密度分布被定位在所述光耦合器上。
- 微机电可调氮化物谐振光栅制备方法-201410492521.3
- 王永进;施政;高绪敏;贺树敏;李欣;于庆龙 - 南京邮电大学
- 2013-03-18 - 2017-08-11 - G02B6/124
- 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
- 光电集成芯片、具有光电集成芯片的光学部件和用于生产该光电集成芯片的方法-201580049618.X
- 汉乔·里;马文·亨尼格斯;斯特凡·梅斯特;克里斯托夫·泰斯;大卫·塞利克;大卫·斯托拉雷克;拉尔斯·齐默尔曼;哈拉尔德·H·里希特 - 柏林工业大学;斯科雅有限公司
- 2015-09-25 - 2017-05-31 - G02B6/124
- 本发明涉及光电集成芯片(2)，芯片具有基板(20)、布置在基板上侧(21)的多个材料层、集成在芯片的一个或多个波导材料层中的光波导和光栅耦合器(60)，光栅耦合器形成在光波导中并在波导材料层的出层平面方向上引起波导中引导的辐射的光束偏转或在波导材料层的入层平面方向上使辐射的光束偏转以耦合到波导中。对于芯片，本发明设置光学衍射和折射结构(100、100a)，光学衍射和折射结构集成在光栅耦合器(60)上方或下方的芯片(2)的材料层中，或者集成在光栅耦合器(60)上方或下方的多个材料层中，或者集成在基板(20)的后侧，衍射和折射结构在辐射被耦合入波导中之前或辐射被耦合出波导外之后执行辐射的光束整形。
- CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器-201710176151.6
- 张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 - 天津工业大学
- 2017-03-20 - 2017-05-17 - G02B6/124
- CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。
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