[实用新型]层叠电容有效
| 申请号： | 201720138632.3 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN206961828U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王立芳;赵利川;范东风;赵鹏辉 | 申请（专利权）人： | 华大半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专尚知识产权代理事务所(普通合伙)31305 | 代理人： | 张政权,周承泽 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种层叠电容，该电容由有源区(AA)、多晶硅(P3)和多个工艺层金属层层交叠形成，其中相邻两工艺层交叠区域构成电容(C)，相邻两工艺层是电容(C)的两极板，所述层的厚度就是电容极板的厚度，所述层的层间介质就是电容(C)的电容介质，所述层间介质的厚度就是电容介质的厚度，多层的电容(C)并联构成层叠电容，不同工艺层在电容(C)两侧隔层互连。该电容基于CMOS e‑EEPROM工艺设计，满足了高压电路开发的需要，较大的单位面积电容值减小了芯片面积，降低了生产成本，并且避免了因普通PIP电容或者Stack‑PIP电容上方金属密度过低引起的芯片生产过程中的平坦化问题。该层叠电容通过调节相邻层交叠区域面积的大小即可调节该电容的容值。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 电容 | ||
【主权项】：
一种层叠电容，其特征在于：该电容由有源区(AA)、多晶硅(P3)和多个工艺层金属层层交叠形成，其中相邻两工艺层交叠区域构成电容(C)，相邻两工艺层是电容(C)的两极板，所述层的厚度就是电容极板的厚度，所述层的层间介质就是电容(C)的电容介质，所述层间介质的厚度就是电容介质的厚度，多层的电容(C)并联构成层叠电容，不同工艺层在电容(C)两侧隔层互连。
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