[发明专利]开关集成器件有效
| 申请号： | 201711492170.6 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN109995351B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋正勇;甘新慧;金志明;张伟民;朱家从;钱叶华;王国平 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/042 | 分类号： | H03K17/042;H03K17/60;H01L27/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种开关集成器件，包括双极晶体管(Tr1)、集成晶体管(Tr2)、集成二极管(D1)以及集成二极管(D2)；所述双极晶体管(Tr1)为NPN型，所述集成晶体管(Tr2)为PNP型；所述双极晶体管(Tr1)的集电极、所述集成晶体管(Tr2)的基极以及所述集成二极管(D2)的阴极连接在一起，作为所述开关集成器件的输入端；所述双极晶体管(Tr1)的基极、所述集成晶体管(Tr2)的发射极以及所述集成二极管(D1)的阴极连接在一起，作为所述开关集成器件控制端；所述集成二极管(D1)的阳极、所述双极晶体管(Tr1)的发射极、所述集成晶体管(Tr2)的集电极以及所述集成二极管(D2)的阳极连接在一起，作为所述开关集成器件的输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 集成 器件 | ||
【主权项】：
1.一种开关集成器件，其特征在于，包括：双极晶体管(Tr1)、集成晶体管(Tr2)、集成二极管(D1)以及集成二极管(D2)；所述双极晶体管(Tr1)为NPN型，所述集成晶体管(Tr2)为PNP型；所述双极晶体管(Tr1)的集电极、所述集成晶体管(Tr2)的基极以及所述集成二极管(D2)的阴极连接在一起，作为所述开关集成器件的输入端；所述双极晶体管(Tr1)的基极、所述集成晶体管(Tr2)的发射极以及所述集成二极管D1的阴极连接在一起，作为所述开关集成器件控制端；所述集成二极管(D1)的阳极、所述双极晶体管(Tr1)的发射极、所述集成晶体管(Tr2)的集电极以及所述集成二极管(D2)的阳极连接在一起，作为所述开关集成器件的输出端。
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- 2016-04-21 - 2021-04-20 - H03K17/042
- 一种半导体装置，提高半导体装置的性能。半导体装置具备具有栅电极(3g)、源电极(3s)以及漏电极(3d)的常开型的结型FET(3)和具有栅电极(4g)、源电极(4s)以及漏电极(4d)的常闭型的MOSFET(4)。结型FET(3)的源电极(3s)与MOSFET(4)的漏电极(4d)进行电连接，从而结型FET(3)与MOSFET(4)串联地连接。结型FET(3)的栅电极(3g)与MOSFET(4)的栅电极(4g)进行电连接。
- 用于基于GaN晶体管的功率转换器的自举电容器过电压管理电路-201780073908.7
- 大卫·C·罗伊施;J·格拉泽;迈克尔·A·德·鲁伊 - 宜普电源转换公司
- 2017-11-28 - 2021-04-13 - H03K17/042
- 用于由增强型GaN晶体管形成的半桥晶体管电路的驱动电路。分流二极管在自举电容器和地之间的节点处连接到自举电容器，分流二极管通过分流电阻器与半桥的中点节点去耦。当半桥的高侧晶体管和低侧晶体管都关断时，分流二极管有利地提供低电压降路径以在死区时间充电时段期间对自举电容器充电。
- 一种站台门控制系统快速切换装置-202011155014.2
- 王旭;龙威;廖权明;尹宏;陈志平 - 王旭
- 2020-10-26 - 2021-01-08 - H03K17/042
- 本发明公开了一种站台门控制系统快速切换装置，包括信号输入电路、控制系统、旁路控制系统、切换电路和受控系统，所述信号输入电路分别与所述控制系统和旁路控制系统的输入端电性连接，所述控制系统和旁路控制系统的输出端分别与所述切换电路的输入端，所述切换电路切换选择输出控制系统或旁路控制系统的控制信号给所述受控系统。本发明确保PSC的高可靠性与切换的及时性，在PSC出现故障时能快速切换接管系统，确保现场设备正常运作。
- 驱动装置及开关装置-202010111689.0
- 松原邦夫;长野刚 - 富士电机株式会社
- 2020-02-24 - 2020-12-11 - H03K17/042
- 若在驱动装置中设置用于短路保护的结构，则会导致装置大型化。本发明提供一种驱动装置，包括：根据输入了使串联连接在正侧电源线和负侧电源线之间的第一半导体元件和第二半导体元件中的第一半导体元件断开的信号的情况来使该第一半导体元件断开的栅极驱动电路；测定与施加于第二半导体元件的电压对应的参数的测定电路；在第一半导体元件的断开期间中参数满足了第一条件时产生第一定时信号的定时产生电路；以及根据第一定时信号，在第一半导体元件的断开期间中将第一半导体元件的栅极电压的变化速度设为比基准速度要低的速度的驱动条件变更电路，栅极驱动电路根据第一半导体元件导通期间参数满足了第二条件的情况来使第一半导体元件断开。
- 专利分类
