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[发明专利]开关集成器件-CN201711492170.6有效
发明人：蒋正勇;甘新慧;金志明;张伟民;朱家从;钱叶华;王国平 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K17/042 文献下载
摘要：本发明提出一种开关集成器件，包括双极晶体管(Tr1)、集成晶体管(Tr2)、集成二极管(D1)以及集成二极管(D2)；所述双极晶体管(Tr1)为NPN型，所述集成晶体管(Tr2)为PNP型；所述双极晶体管(Tr1)的集电极、所述集成晶体管(Tr2)的基极以及所述集成二极管(D2)的阴极连接在一起，作为所述开关集成器件的输入端；所述双极晶体管(Tr1)的基极、所述集成晶体管(Tr2)的发射极以及所述集成二极管(D1)的阴极连接在一起，作为所述开关集成器件控制端；所述集成二极管(D1)的阳极、所述双极晶体管(Tr1)的发射极、所述集成晶体管(Tr2)的集电极以及所述集成二极管(D2)的阳极连接在一起，作为所述开关集成器件的输出端。
开关集成器件

[实用新型]一种高耐量高能效浮游型新型超结MOS场效应晶体管-CN202223274413.8有效
发明人：杨洁雯;钱叶华;陆佳顺 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高耐量高能效浮游型新型超结MOS场效应晶体管，包括漏极结构、多次外延结构、栅极结构、源极结构；漏极结构包括漏极金属层及N型衬底；多次外延结构包括设于N型衬底上方的N型外延层、多次外延P型柱，多次外延P型柱具有位于上段的上外延P型柱以及位于下段的下外延P型柱；栅极结构包括栅极氧化层、栅极金属层；源极结构包括横跨设于栅极氧化层上方的源极金属层。本实用新型的方案能够改变雪崩时的电流路径，电流主要通过P柱流出器件，从而有效地避免了器件内部的寄生BJT的触发，提高器件的Eas耐压，有利于减低器件整体的导通电阻，从而降低器件电路系统的应用中的电路功耗，提高MOS场效应晶体管应用电路的能效。
一种高耐量高能效浮游新型 mos 场效应晶体管

[实用新型]高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构及晶体管-CN202223274324.3有效
发明人：陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高耐量浮游型超结MOS场效应晶体管元胞结构及其晶体管，包括N型衬底及设于N型衬底上方的多次外延结构；多次外延结构包括设于N型衬底上方的N型外延层和设置在N型外延层内的P型基区；所述P型基区下方设有多次外延P型柱，所述多次外延P型柱具有位于上段的上外延P型柱以及位于下段的下外延P型柱，所述上外延P型柱浮游于所述下外延P型柱的上方，两者间填充N型外延层，所述上外延P型柱向上延伸入所述P型基区中。本实用新型的方案的最强电场分布在所述上外延P型柱外延的下方，这将有效吸附空穴，进而改变雪崩时的电流路径，电流主要通过P柱流出器件，从而有效地避免了器件内部的寄生BJT的触发，提高器件的Eas耐压。
高耐量浮游型超结 mos 场效应晶体管结构

[实用新型]一种新结构低功耗MOS场效应晶体管-CN202222483212.2有效
发明人： 钱叶华;陆佳顺;杨洁雯 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新结构低功耗MOS场效应晶体管，其左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离，源极金属层覆盖于左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区上表面，此源极金属层、左栅极层和右栅极层相互之间通过绝缘介质层隔离，漏极金属层覆盖于重掺杂N型漏极层下表面。本实用新型的一种新结构低功耗MOS场效应晶体管大大降低了JFET区的电阻，从而降低了器件的发热量。
一种结构功耗 mos 场效应晶体管

[实用新型]一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管-CN202222490625.3有效
发明人：陆佳顺;钱叶华;杨洁雯 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管，其复合掺杂层的中央区域具有一N型中掺杂区，复合掺杂层位于N型中掺杂区两侧区域分别具有左P型基区和右P型基区，左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，此左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离。本实用新型的一种低导通电阻功率MOS场效应晶体管大大降低了JFET区的电阻，实现器件的低阻化和降低了器件的发热量。
一种通电功率 mos 场效应晶体管

[实用新型]平面沟槽复合型功率MOSFET器件-CN202222511006.8有效
发明人：杨洁雯;钱叶华;陆佳顺 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种平面沟槽复合型功率MOSFET器件，其左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离，相邻MOS器件单胞之间具有一深沟槽，深沟槽的下端延伸至N型轻掺杂外延层的中部，此深沟槽内填充有一二氧化硅部。本实用新型平面沟槽复合型功率MOSFET器件既可以实现器件的低阻化，降低器件的发热量，又提高了器件电流强度，还降低了漏电流，提高MOSFET器件的BV（耐压）特性。
平面沟槽复合型功率 mosfet 器件

[发明专利]一种金属矿采矿方法-CN202211382519.1在审
发明人： 钱叶华 -专利权人：铜陵鑫铜建设监理有限责任公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： E21C41/22 文献下载
摘要：本发明涉及采矿技术领域，且公开了一种金属矿采矿方法，对采场划分，沿着矿体走向对采场进行划分形成中段在靠近下盘矿体的下三角矿体各个水平分段沿矿体走向开凿连通运输平巷和脉外分段平巷作业出矿、凿岩横巷，在采场的各个中段内，自脉外巷向矿体下盘掘进分段出矿横巷，继续向上盘矿体作业与所述分段出矿横巷在同一方向相通的凿岩平巷，在采场中央靠上盘矿体沿矿体走向作业与所述凿岩平巷相连通的切割巷，在所述切割巷的一端向上作业一个采场分段高度的垂直切割天井，将矿场进行水平划分成中段，将每个中段分成上下两部分，两部分中段的上下矿区交替开采，产生的尾矿相互回填，减少开采过程中的空场，更好的利用空间。
一种金属采矿方法

[实用新型]一种预应力效果好的建筑钢结构-CN202122199647.X有效
发明人： 钱叶华 -专利权人： 钱叶华
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： E04B1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预应力效果好的建筑钢结构，包括支柱，所述支柱的顶部固定连接有衔接盒，所述衔接盒的顶部固定连接有卡接块，所述卡接块的顶部设置有钢结构柱，所述钢结构柱底部的两侧均固定连接有固定杆，所述固定杆的底部贯穿至衔接盒的内腔。本实用新型通过支柱、衔接盒、卡接块、钢结构柱、固定杆、滑杆、滑套、限位块、限位槽、螺纹杆、螺纹套、推杆、横板、衔接块、移动杆、手轮、竖杆和固定块的配合使用，具备方便拆卸的优点，解决了现有的预应力效果好的建筑钢结构在装配的过程中，大多采用焊接的方式进行固定，过程较为复杂，在拆卸运输时非常不便，从而容易降低预应力效果好的建筑钢结构实用性的问题。
一种预应力效果建筑钢结构

[实用新型]一种不易拉伤且抗辐射效果好的不锈钢板-CN202122199673.2有效
发明人： 钱叶华 -专利权人：青岛智贺不锈钢有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种不易拉伤且抗辐射效果好的不锈钢板，包括板体，所述板体包括基底层，且基底层的左侧设置有第一保护层，同时，第一保护层包括硫酸钡涂层和碳钢层，所述基底层的右侧设置有第二防护层，且第二防护层包括锆合金层和纳米二氧化钛涂层，所述碳钢层通过氰基丙烯酸乙酯粘接于基底层的左侧。本实用新型设置了包括硫酸钡涂层和碳钢层的第一保护层，其中的硫酸钡涂层可使本不锈钢板具有防X射线辐射的能力，碳钢层可提高本不锈钢板整体的强度，设置了包括锆合金层和纳米二氧化钛涂层的第二防护层，其中的纳米二氧化钛涂层可使本不锈钢板具有防太阳光辐射的能力，锆合金层进一步提高了本不锈钢板整体的强度。
一种不易拉伤辐射效果不锈钢板

[实用新型]一种用于防止预制构件变形的高强度工装组件-CN202120101881.1有效
发明人：廖琴燕;钱叶华;马建波;何深龙 -专利权人：湖北中天绿建工业有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： E04G21/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及预制构件技术领域，且公开了一种用于防止预制构件变形的高强度工装组件，包括两个安装板，两个所述安装板的外侧均螺纹连接有地脚螺丝，两个所述安装板的外侧均固定连接有固定座，两个所述固定座的内部均活动连接有定位轴，两个所述定位轴的外部均活动连接有位于固定座外侧的活动卡座。该用于防止预制构件变形的高强度工装组件，通过复位弹簧的作用使插杆贯穿调节杆，利用定位螺母和插杆的螺纹连接对调节杆进行固定，采用自动回位的定位方式减低劳动强度，根据预制构件的支撑角度对安装板进行位置调节，该工装组件可以在安装的过程中进行长度和角度上的调节，减少安装空间且能够有效防止预制构件变形。
一种用于防止预制构件变形强度工装组件

[实用新型]一种加快混凝土预制构件硬化的新型设备-CN202120101887.9有效
发明人：马建波;钱叶华;廖琴燕;何深龙 -专利权人：湖北中天绿建工业有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B28B11/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种加快混凝土预制构件硬化的新型设备，包括加快混凝土预制构件硬化设备本体，所述加快混凝土预制构件硬化设备本体包括锅炉、输气管道、分支管道、控制阀和支撑板，所述锅炉的一端与输气管道相连接，所述输气管道与分支管道相连接，所述分支管道的表面开设有出气孔，所述分支管道的一端安装有固定块，所述分支管道的顶部安装有支撑板,所述支撑板的两侧安装有支撑块，该加快混凝土预制构件硬化的新型设备体积小，拆卸组装快捷，操作简单方便，可以就近浇注，运输和维护成本低。
一种加快混凝土预制构件硬化新型设备

[发明专利]一种井下软弱工程地质巷道用支撑机构及其使用方法-CN202111176780.1在审
发明人： 钱叶华;冯胜利 -专利权人：铜陵鑫铜建设监理有限责任公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： E21D15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种井下软弱工程地质巷道用支撑机构及其使用方法,涉及地质巷道支护技术领域，包括多个支护装置单元以及用于将多个支护装置单元串联成为一体的连接器，支护装置单元包括型钢支柱和弧形支架，型钢支柱包括柱体、榫头、开设在柱体中的型腔以及设于柱体顶端的凸台，在凸台上开设有型槽；弧形支架包括第一弧形架构和第二弧形架构，第一弧形架构与第二弧形架构的弧形开口均竖向朝下，在第一弧形架构与第二弧形架构的两端均设有型块，型块与型槽配合的插接实现了弧形支架与型钢支柱的搭接；在沿弧形支架径向上设置有多个支撑装置。本发明的支撑机构结构简单，拆装操作使用简便，结构稳固，可起到主动支撑的作用，支护效果好，安全可靠。
一种井下软弱工程地质巷道支撑机构及其使用方法

[实用新型]一种混凝土预制构件用防缺边重力锤-CN202120477792.7有效
发明人：马建波;钱叶华;肖陈;廖琴燕 -专利权人：湖北中天绿建工业有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B28B13/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及混凝土预制构件技术领域，且公开了一种混凝土预制构件用防缺边重力锤，包括限位杆，所述限位杆的外部套接有锤体，所述锤体的底部固定连接有把手，所述限位杆的左右两端均固定连接有挡块，左端所述挡块的左侧固定连接有钩头，右端所述挡块的右侧固定连接有定位杆，所述定位杆的外部固定连接有限位板，所述限位板的外部套接有限位滑套。该混凝土预制构件用防缺边重力锤，通过利用钩头钩住模具的外侧，握住把手并向上用力提起，利用锤体向反方向进行锤打，从而使混凝土预制构件和模具分离，且不会对混凝土预制构件造成损坏，减震弹簧减缓锤体和挡块撞击时产生的作用力，避免操作员出现伤害。
一种混凝土预制构件用防缺边重力

[发明专利]碳化硅衬底上形成的欧姆接触结构及其形成方法-CN201711492161.7有效
发明人：蒋正勇;甘新慧;金志明;张伟民;朱家从;钱叶华;王国平 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅衬底上形成欧姆接触结构的方法，包括提供具有外延层的碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底需要金属化的表面依次淀积具有预设厚度的第一Ni金属层、NiSi合金层、第一Ti金属层、第二Ni金属层、第二Ti金属层以及表层金属层。本发明可以同时适用于N型和P型碳化硅衬底与金属欧姆接触。依据本发明制造出来的欧姆接触结构的金属与碳化硅衬底之间的接触稳定性好，并且形成的欧姆接触结构的电阻低，可以直接做与外电极互联工艺，不需要额外做金属化，降低了工艺复杂程度。
碳化硅衬底形成欧姆接触结构及其方法

[实用新型]一种带自动推料的金属件检测输送机构-CN202021772912.8有效
发明人： 钱叶华;杨萍 -专利权人：绍兴市希诺机械有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B65G47/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带自动推料的金属件检测输送机构，包括机架，所述机架包括前后两个侧板，两个侧板之间安装有两个传动辊，两个传动辊处于侧板的左右两端处，传动辊的两端通过轴承铰接在两个侧板上，输送带张紧在两个传动辊上，其中一个侧板的外侧壁上固定有驱动电机，驱动电机带动对应的传动辊转动；它可以自动对输送带上的金属件进行检测计数并自动推料至出料水平板，方便人工拿取检测，不会产生遗漏。
一种自动金属件检测输送机构

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