[发明专利]一种阳极栅MOS晶闸管及其工艺方法在审
| 申请号： | 201711446833.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108063163A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 胡飞;宋李梅;孙博韬;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种阳极栅MOS晶闸管及其工艺方法，涉及半导体器件领域，包括：阳极端，所述阳极端包括第一NMOS结构；第一栅电极，所述第一栅电极下方形成所述第一NMOS结构；N+缓冲层，其中，所述N+缓冲层在晶闸管导通状态下存储有大量电子；P型基区，所述P型基区在晶闸管导通状态下存储有大量空穴；其中，所述第一栅电极控制所述第一NMOS结构将所述N+缓冲层内的所述电子抽走，提高所述阳极栅MOS晶闸管的关断速度。解决了现有技术中的MOS栅晶闸管关断速度慢，器件最大关断电流低的技术问题，达到了极大地增大了器件的关断电流，提高了器件关断速度，减小了器件关断功耗，制作工艺简单，与标准IGBT工艺相兼容的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 mos 晶闸管 及其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阳极栅MOS晶闸管，其特征在于，所述阳极栅MOS晶闸管包括：阳极端，所述阳极端包括第一NMOS结构；第一栅电极，所述第一栅电极下方形成所述第一NMOS结构；N+缓冲层，其中，所述N+缓冲层在晶闸管导通状态下存储有大量电子；P型基区，所述P型基区在晶闸管导通状态下存储有大量空穴；其中，所述第一栅电极控制所述第一NMOS结构将所述N+缓冲层内的所述电子抽走，提高所述阳极栅MOS晶闸管的关断速度。
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