[发明专利]一种阳极栅MOS晶闸管及其工艺方法

权利要求书

1.一种阳极栅MOS晶闸管，其特征在于，所述阳极栅MOS晶闸管包括：

阳极端，所述阳极端包括第一NMOS结构；

第一栅电极，所述第一栅电极下方形成所述第一NMOS结构；

N+缓冲层，其中，所述N+缓冲层在晶闸管导通状态下存储有大量电子；

P型基区，所述P型基区在晶闸管导通状态下存储有大量空穴；

其中，所述第一栅电极控制所述第一NMOS结构将所述N+缓冲层内的所述电子抽走，提高所述阳极栅MOS晶闸管的关断速度。

2.如权利要求1所述的阳极栅MOS晶闸管，其特征在于，所述阳极栅MOS晶闸管还包括：

阴极端，所述阴极端包括第二NMOS结构和所述PMOS结构；

第二柵电极，所述第二柵电极下方形成所述第二NMOS结构和所述PMOS结构。

3.如权利要求1所述的阳极栅MOS晶闸管，其特征在于，所述阳极栅MOS晶闸管还包括：

晶闸管结构，所述晶闸管结构由四层N-P-N-P材料构成。

4.如权利要求1所述的阳极栅MOS晶闸管，其特征在于，所述阳极栅MOS晶闸管还包括：

PMOS结构，所述PMOS结构位于所述阴极端。

5.一种阳极栅MOS晶闸管的工艺方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤一：在N型重掺杂衬底上，通过外延工艺生长轻掺杂的N型外延层，作为阳极栅MOS晶闸管的漂移层；

步骤二：在衬底背面通过刻蚀形成沟槽，之后再通过氧化生长栅氧化层，最后在沟槽里面淀积多晶硅作为第一栅电极；

步骤三：在衬底背面通过双扩散工艺制作P型重掺杂层、N型重掺杂层，分别作为阳极栅MOS晶闸管的P+阳极区域以及第一NMOS结构；

步骤四：在漂移区上方通过双扩散工艺制作P基区、N+掺杂区和P+掺杂区，最后淀积金属完成阳极栅MOS晶闸管的制作。

6.一种阳极栅MOS晶闸管的工艺方法，其特征在于，所述方法还包括：

步骤一：在N型重掺杂衬底上，通过外延工艺生长轻掺杂的N型外延层，作为阳极栅MOS晶闸管的漂移层；

步骤二：在衬底背面淀积多晶硅作为第一栅电极；

步骤三：在衬底背面通过双扩散工艺制作P型重掺杂层、N型重掺杂层，分别作为阳极栅MOS晶闸管的P+阳极区域以及第一NMOS结构；

步骤四：在漂移区上方通过双扩散工艺制作P基区、N+掺杂区和P+掺杂区，最后淀积金属完成阳极栅MOS晶闸管的制作。