[发明专利]包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201711443416.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108987463A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 申建旭;申铉振;赵连柱;南胜杰;朴晟准;李润姓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III‑V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 石墨烯层 石墨烯 基板 绝缘体 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板，包括绝缘体和半导体，所述半导体包括IV族材料和III‑V族化合物中的至少一种；以及石墨烯层，生长在所述半导体的表面上。
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