[发明专利]包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201711443416.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108987463A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 申建旭;申铉振;赵连柱;南胜杰;朴晟准;李润姓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 石墨烯层 石墨烯 基板 绝缘体 制造 生长 | ||
1.一种半导体器件，包括：
基板，包括绝缘体和半导体，所述半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种；以及
石墨烯层，生长在所述半导体的表面上。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体包括硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、镓砷化物(GaAs)、镓磷化物(GaP)、铟砷化物(InAs)、铟磷化物(InP)、铟锑化物(InSb)、镓锑化物(GaSb)、镓氮化物(GaN)、铟氮化物(InN)、铝磷化物(AlP)、铝砷化物(AlAs)以及铝氮化物(AlN)中的至少一种。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体还包括掺杂材料。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中
所述绝缘体包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiN)、硅氮氧化物(SiOx1Ny1)、硅碳氧化物(SiOx2Cy2)、锗氮氧化物(GeOx3Ny3)、锗碳氧化物(GeOx4Cy4)、铝氧化物(Al2O3)、铪氧化物(HfO2)以及锆氧化物(ZrO2)中的至少一种，
0<x1<1，0<y1<1，0<x2<1，0<y2<1，0<x3<1，0<y3<1，0<x4<1，0<y4<1，。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中
所述绝缘体在所述半导体上，
所述绝缘体是绝缘层，并且
所述半导体是半导体基板。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中
所述半导体是半导体层，
所述绝缘体包括绝缘体基板，并且
所述半导体层在所述绝缘体基板上。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体的表面和所述绝缘体的表面在相对于彼此相同的平面上或者在相对于彼此不同的平面上。
8.一种半导体器件，包括：
基板，包括绝缘体和半导体；
第一石墨烯层，生长在所述半导体的表面上；以及
第二石墨烯层，生长在所述绝缘体的表面上，所述第二石墨烯层的厚度不同于所述第一石墨烯层的厚度。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一石墨烯层的厚度大于所述第二石墨烯层的厚度。
10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述半导体还包括掺杂材料。
12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
制备基板，所述基板包括绝缘体和半导体，所述半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种；以及
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体的表面上生长第一石墨烯层。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体还包括掺杂材料。
14.如权利要求12所述的方法，其中生长所述第一石墨烯层不在所述绝缘体的表面上形成石墨烯层。
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