[发明专利]散热结构及其制备方法和散热装置有效

专利信息
申请号: 201711437642.8 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108122870B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 张学骜;李新华;王广;张森;乔帅 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;C01B32/162
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黄晓庆
地址: 410008 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种散热结构及其制备方法和散热装置,该制备方法包括步骤:在基底上依次沉积过渡层和催化剂层,再于保护气体氛围下通入还原性气体和碳源气体于700~800℃保温5~30min,以在催化剂层上垂直生长碳纳米管阵列,得到散热结构;其中过渡层为Al2O3层,催化剂层为过渡金属的金属单质层或合金层;催化剂层的厚度为0.8~10nm;控制还原性气体和碳源气体通入的体积流量比为1:1~10,保温处理的条件为于700~900℃保温5~30min。该制备方法制得的碳纳米管阵列非常整齐、具有典型的石墨烯结构、不含无定型碳、缺陷非常少;使得沿碳纳米管阵列的生长方向的热传导快速有效,因此制得的散热结构导热性能显著提高,导热性能优良。
搜索关键词: 散热 结构 及其 制备 方法 装置
【主权项】:
一种散热结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在基底上依次沉积过渡层和催化剂层,再于保护气体氛围下通入还原性气体和碳源气体,于700~900℃保温5~30min,以在所述催化剂层上垂直生长碳纳米管阵列,得到所述散热结构;其中所述过渡层为Al2O3层,所述催化剂层为过渡金属的金属单质层或合金层;所述催化剂层的厚度为0.8~10nm;所述还原性气体和所述碳源气体通入的体积流量比为1:1~10。
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