[发明专利]介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩及其制备方法在审
| 申请号： | 201711435061.0 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108147834A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王洪升;张萍萍;朱保鑫;韦其红;栾强;盖莹;温广武 | 申请（专利权）人： | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/584;C04B35/622;H01Q1/42 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255086 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于结构功能陶瓷材料领域，具体的涉及一种介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩及其制备方法。以质量分数计，原料组成如下：氮化硅粉体70～95％，碳化硅粉体0～10％，造孔剂0～25％和稀土氧化物粉体3～15％。本发明利用冷等静压成型，通过控制成型压力和造孔剂含量，可实现素坯密度的控制，更容易实现复杂薄壁结构天线罩的均匀性、一致性控制；SiC与Si3N4的热学、力学等性能接近且不发生物理化学反应，经氧化处理后SiC表面被SiO2包覆，可使材料介电常数大幅提升，介电损耗小幅变化，因此适量SiO2包覆SiC的引入可作为高介电常数组分使用。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 氮化硅 可调控 天线罩 造孔剂 包覆 轻质 制备 稀土氧化物粉体 材料介电常数 冷等静压成型 物理化学反应 氮化硅粉体 高介电常数 碳化硅粉体 一致性控制 成型压力 复杂薄壁 结构功能 结构天线 介电损耗 陶瓷材料 氧化处理 原料组成 均匀性 热学 素坯 力学 引入 | ||
【主权项】：
一种介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩，其特征在于：以质量分数计，原料组成如下：![]()
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