[发明专利]介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩及其制备方法在审
| 申请号： | 201711435061.0 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108147834A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王洪升;张萍萍;朱保鑫;韦其红;栾强;盖莹;温广武 | 申请（专利权）人： | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/584;C04B35/622;H01Q1/42 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 马俊荣 |
| 地址： | 255086 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 氮化硅 可调控 天线罩 造孔剂 包覆 轻质 制备 稀土氧化物粉体 材料介电常数 冷等静压成型 物理化学反应 氮化硅粉体 高介电常数 碳化硅粉体 一致性控制 成型压力 复杂薄壁 结构功能 结构天线 介电损耗 陶瓷材料 氧化处理 原料组成 均匀性 热学 素坯 力学 引入 | ||
1.一种介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩，其特征在于：以质量分数计，原料组成如下：
2.根据权利要求1所述的介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩，其特征在于：造孔剂是聚甲基丙烯酸甲酯、苯甲酸、碳酸氢铵、尿素、聚维酮、聚乙二醇或聚乙烯醇中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩，其特征在于：稀土氧化物粉体是氧化镱、氧化铥、氧化钇、氧化铒、氧化钆、氧化镧、氧化镝、氧化镨、氧化铽、氧化铈、氧化钕、氧化镥或氧化铕中的一种或几种。
4.一种权利要求1所述的介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
(1)原材料预处理
将氮化硅粉体、碳化硅粉体、造孔剂和稀土氧化物粉体在无水乙醇溶剂中球磨混合，然后经喷雾造粒制备成造粒粉体；
(2)冷等静压成型
将造粒粉体装入仿形成型模具中，然后在冷等静压成型机中成型，成型压力30～200MPa；
(3)脱脂-气氛压力烧结
将素坯在真空脱脂炉中脱脂，然后在气氛压力烧结炉内大于0.2MPa的压力、氮气气氛下，1650～1850℃进行烧结；
(4)氧化处理
将烧结后坯体在氧化气氛下、600～1000℃下热处理大于1h；
(5)精密加工
将热处理后坯体精密加工到预设尺寸。
5.根据权利要求4所述的介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩的制备方法，其特征在于：步骤(4)氧化处理和步骤(5)精密加工两个步骤的顺序可调整。
6.根据权利要求4所述的介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩的制备方法，其特征在于：步骤(4)中氧化气氛是空气气氛或富氧气氛。
7.根据权利要求4所述的介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述的脱脂过程是温度为200℃～600℃，真空度小于等于-0.09MPa。
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