[发明专利]齐纳二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201711428937.9 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978643A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙)44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种齐纳二极管的制作方法，包括提供P型衬底，并在所述P型衬底制作N型阱；在所述N型阱制作场氧化区，所述场氧化区在所述N型阱的内部界定齐纳二极管主体制作区域；在所述齐纳二极管主体制作区域进行第一次N型掺杂处理，形成N型低掺杂区；在所述N型低掺杂区进行第二次N型掺杂处理，以在所述N型低掺杂区形成N型重掺杂区，其中，所述N型低掺杂区和所述N型重掺杂区在形成过程中分别采用不同的曝光条件。本发明还提供一种采用上述方法制作而成的齐纳二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种齐纳二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供P型衬底，并在所述P型衬底制作N型阱；在所述N型阱制作场氧化区，所述场氧化区在所述N型阱的内部界定齐纳二极管主体制作区域；在所述齐纳二极管主体制作区域进行第一次N型掺杂处理，形成N型低掺杂区；在所述N型低掺杂区进行第二次N型掺杂处理，以在所述N型低掺杂区形成N型重掺杂区，其中，所述N型低掺杂区和所述N型重掺杂区在形成过程中分别采用不同的曝光条件。
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