[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示面板在审
| 申请号： | 201711392946.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108039339A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 杨春辉 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人： | 邓铁华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开一种阵列基板的制作方法，包括步骤：在透明基底上形成遮光层和第一金属层，从而所述遮光层位于所述透明基底和所述第一金属层之间；在所述第一金属层上依次形成绝缘层、通道层和欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层并在所述钝化层中形成接触孔；以及在所述钝化层上形成像素电极层并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。此外，还公开了一种阵列基板和一种液晶显示面板。本发明可以提升了显示效果和产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：在透明基底上形成遮光层和第一金属层，从而所述遮光层位于所述透明基底和所述第一金属层之间且所述遮光层与所述第一金属层图案一致；在所述第一金属层上依次形成绝缘层、通道层和欧姆接触层；在所述欧姆接触层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层并在所述钝化层中形成接触孔；以及在所述钝化层上形成像素电极层并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
