[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板和液晶显示面板在审
申请号: | 201711392946.7 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN108039339A | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 杨春辉 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人: | 邓铁华 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制作方法 液晶显示 面板 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
在透明基底上形成遮光层和第一金属层,从而所述遮光层位于所述透明基底和所述第一金属层之间且所述遮光层与所述第一金属层图案一致;
在所述第一金属层上依次形成绝缘层、通道层和欧姆接触层;
在所述欧姆接触层上形成第二金属层;
在所述第二金属层上形成钝化层并在所述钝化层中形成接触孔;以及
在所述钝化层上形成像素电极层并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在透明基底上形成遮光层和第一金属层,从而所述遮光层位于所述透明基底和所述第一金属层之间且所述遮光层与所述第一金属层图案一致,包括:
在所述透明基底上形成黑色遮光材料层;
在所述黑色遮光材料层上形成第一金属材料层;
在所述第一金属材料层上形成光阻材料层;
利用光罩对所述光阻材料层进行曝光显影以得到图案化光阻材料层;
以所述图案化光阻材料层为掩膜对所述第一金属材料层和所述黑色遮光材料层依序进行湿蚀刻和干蚀刻;以及
在所述干蚀刻后去除残余的光阻材料层,以得到所述遮光层和所述第一金属层。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述遮光层的材料为含碳黑的黑色光阻。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述遮光层和所述第一金属层共用同一道光罩工艺形成。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一金属层包括扫描线、公共电极和薄膜晶体管的栅极。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述欧姆接触层包括位于所述通道层上相互分离的第一区域和第二区域。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极和数据线,所述数据线连接所述源极,所述漏极通过所述接触孔连接所述像素电极层,所述源极与所述欧姆接触层的第一区域连接,所述漏极与所述欧姆接触层的第二区域连接。
8.一种阵列基板,其特征在于,包括:
透明基底;
遮光层,设置在所述透明基底上;
第一金属层,设置在所述遮光层上,从而所述遮光层位于所述透明基底和所述第一金属层之间且所述遮光层与所述第一金属层图案一致;
绝缘层,设置在所述第一金属层上;
通道层,设置在所述绝缘层上;
欧姆接触层,设置在所述通道层上;
第二金属层,设置在所述欧姆接触层上;
钝化层,设置在所述第二金属层上且形成有接触孔;以及
像素电极层,设置在所述钝化层上并通过所述接触孔连接所述第二金属层。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层的材料为含碳黑的黑色光阻。
10.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层包括扫描线、公共电极和薄膜晶体管的栅极。
11.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极和数据线,所述数据线连接所述源极,所述漏极通过所述接触孔连接所述像素电极层。
12.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层和所述遮光层直接接触。
13.一种液晶显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,其为如权利要求8-12任意一项所述的阵列基板;
彩色滤光片基板,与阵列基板相对设置,所述彩色滤光片基板包括黑色矩阵层;以及
液晶层,设置于所述阵列基板和彩色滤光片基板之间。
14.如权利要求13所述的液晶显示面板,其特征在于,所述阵列基板上的所述遮光层与所述彩色滤光片基板上的所述黑色矩阵层的材料相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造