[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711392708.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108281481B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 闵庚石;石城大;李正允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置包括：在基底上的器件隔离层、由器件隔离层限定的第一有源图案以及源极区和漏极区。第一有源图案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区。源极区和漏极区填充第一有源图案中的一对凹进区。源极区和漏极区中的每个包括位于凹进中的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的每个具有其宽度小于源极区和漏极区中的所述每个的下部的宽度的上部。第二半导体图案具有其宽度小于第二半导体图案的下部的宽度的上部。第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；器件隔离层，位于基底上，器件隔离层限定第一有源图案，第一有源图案在第一区域上在第一方向上延伸，第一有源图案包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区；源极区和漏极区，在第一有源图案中填充所述一对凹进，源极区和漏极区中的每个包括位于凹进的内侧壁上的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案，其中，源极区和漏极区中的所述每个在源极区和漏极区中的所述每个的上部处在第一方向上的宽度小于源极区和漏极区中的所述每个在源极区和漏极区中的所述每个的下部处在第一方向上的宽度，第二半导体图案在第二半导体图案的上部处在第一方向上的宽度小于第二半导体图案在第二半导体图案的下部处在第一方向上的宽度，第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。
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