[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置包括：在基底上的器件隔离层、由器件隔离层限定的第一有源图案以及源极区和漏极区。第一有源图案在第一方向上延伸，并且包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区。源极区和漏极区填充第一有源图案中的一对凹进区。源极区和漏极区中的每个包括位于凹进中的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的每个具有其宽度小于源极区和漏极区中的所述每个的下部的宽度的上部。第二半导体图案具有其宽度小于第二半导体图案的下部的宽度的上部。第二半导体图案的上部被布置成高于沟道区的顶表面。

本专利申请要求于2017年1月5日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0001938号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括鳍式场效应晶体管的半导体装置。

背景技术

半导体装置因为其尺寸小、功能多和/或制造成本低而用在电子行业中。半导体装置可被分类为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑装置以及兼具存储器和逻辑元件的混合半导体装置中的任意一种。在电子行业中，已经越来越多地使用半导体装置。例如，半导体装置已经越来越多地用于高可靠性、高速度和/或多功能应用。半导体装置逐渐复杂并高度集成以满足所需的特性。

发明内容

发明构思涉及一种包括具有增强的电子特性的场效应晶体管的半导体装置。

根据发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；器件隔离层，位于基底上，器件隔离层限定第一有源图案，第一有源图案在第一区域上在第一方向上延伸，第一有源图案包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区；源极区和漏极区，在第一有源图案中填充所述一对凹进。源极区和漏极区中的每个可以包括位于凹进的内侧壁上的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案。源极区和漏极区中的所述每个在源极区和漏极区中的所述每个的上部处在第一方向上的宽度可以小于源极区和漏极区中的所述每个在源极区和漏极区中的所述每个的下部处在第一方向上的宽度。第二半导体图案在第二半导体图案的上部处在第一方向上的宽度可以小于第二半导体图案在第二半导体图案的下部处在第一方向上的宽度。第二半导体图案的上部可被布置成高于沟道区的顶表面。

根据发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，在基底的第一区域上。第一有源图案可以在第一方向上延伸。第一有源图案可以包括沟道区和横跨沟道区在第一方向上彼此分隔开的一对源极区和漏极区。基底可以包括第一半导体成分。源极区和漏极区中的每个可以包含第二半导体成分，第二半导体成分的晶格常数大于第一半导体成分的晶格常数。源极区和漏极区中的所述每个可以包括顺序堆叠的多个半导体图案。所述多个半导体图案可以包括第一半导体图案。第一半导体图案中的第二半导体成分的含量可以大于所述多个半导体图案中的任何其它一个中的第二半导体成分的含量。第一半导体图案在第一半导体图案的上部处的宽度可以小于第一半导体图案在第一半导体图案的下部处在第一方向上的宽度。第一半导体图案的上部可被布置成高于沟道区的顶表面。

根据发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括：基底、在基底上彼此分隔开的多个有源图案、栅电极、栅极介电图案以及源极区和漏极区。所述多个有源图案可以包括在第一方向上延伸的第一有源图案。第一有源图案可以包括在第一方向上交替布置的第一沟道区和凹进区。第一沟道区可以在凹进区上方突出。第一有源图案的凹进区可以在第一沟道区的顶表面与凹进区的底表面之间的水平处具有最大宽度。栅电极可以横跨第一有源图案的第一沟道区。栅极介电图案可以位于栅电极与第一有源图案的第一沟道区之间。源极区和漏极区可以位于第一有源图案的凹进区中。

附图说明

图1是用于解释根据发明构思的一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图2A、图2B、图2C和图2D是分别沿图1的线A-A'、线B-B'、线C-C'和线D-D'截取的剖视图。