[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括第一区域和第二区域；

器件隔离层，位于基底上，器件隔离层限定第一有源图案，第一有源图案在第一区域上在第一方向上延伸，第一有源图案包括位于形成在第一有源图案的上部处的一对凹进之间的沟道区；

源极区和漏极区，在第一有源图案中填充所述一对凹进，源极区和漏极区中的每个包括位于凹进的内侧壁上的第一半导体图案和位于第一半导体图案上的第二半导体图案，

其中，源极区和漏极区中的所述每个在源极区和漏极区中的所述每个的上部处在第一方向上的宽度小于源极区和漏极区中的所述每个在源极区和漏极区中的所述每个的下部处在第一方向上的宽度，

在第二半导体图案的位于沟道区的顶表面与第二半导体图案的底表面之间的中间水平处，第二半导体图案在第一方向上具有最大的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，第二半导体图案的上部与第一半导体图案的上内侧壁接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一有源图案的上部被布置成高于器件隔离层的顶表面。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

基底包含第一半导体成分，

源极区和漏极区中的所述每个包含第二半导体成分，第二半导体成分的晶格常数大于第一半导体成分的晶格常数，

源极区和漏极区中的所述每个还包括位于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第三半导体图案，

第三半导体图案中的第二半导体成分的含量大于第一半导体图案中包含的第二半导体成分的含量，并小于第二半导体图案中的第二半导体成分的含量。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，第二半导体图案的体积大于第三半导体图案的体积。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

基底包含第一半导体成分，

第一半导体图案和第二半导体图案包含第二半导体成分，第二半导体成分的晶格常数大于第一半导体成分的晶格常数，

源极区和漏极区中的所述每个还包括位于第二半导体图案上第三半导体图案，

第三半导体图案包含95at％至100at％范围内的第一半导体成分。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

基底包含第一半导体成分，

源极区和漏极区中的所述每个包含第二半导体成分，第二半导体成分的晶格常数大于第一半导体成分的晶格常数，

第二半导体图案中的第二半导体成分的含量大于第一半导体图案中的第二半导体成分的含量。

8.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：栅电极，与第一有源图案的沟道区交叉，

其中，栅电极围绕沟道区的相对侧壁和沟道区的顶表面。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

器件隔离层限定在第二区域上在第一方向上延伸的第二有源图案，

第一区域为PMOSFET区域，

第二区域为NMOSFET区域。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括第一区域和第二区域，基底包括第一半导体成分；以及

第一有源图案，位于基底的第一区域上，第一有源图案在第一方向上延伸，第一有源图案包括沟道区和横跨沟道区在第一方向上彼此分隔开的一对源极区和漏极区，源极区和漏极区中的每个包含第二半导体成分，第二半导体成分的晶格常数大于第一半导体成分的晶格常数，源极区和漏极区中的所述每个包括顺序堆叠的多个半导体图案，所述多个半导体图案包括第一半导体图案，第一半导体图案中的第二半导体成分的含量大于所述多个半导体图案中的任何其它一个中的第二半导体成分的含量，在第一半导体图案的位于沟道区的顶表面与第一半导体图案的底表面之间的中间水平处，第一半导体图案在第一方向上具有最大的宽度。