[发明专利]导体结构、电容器阵列结构及制备方法

摘要

本发明提供一种基于多晶硅制程的导体结构、电容器阵列结构及制备方法，导体结构制备包括：提供一基底，于基底中形成凹穴结构；于凹穴结构内形成导体填充结构，形成导体填充结构的材料源至少包含硅源及锗源，锗源中的锗原子作为硅源中硅原子聚集生长的晶核，以增大导体填充结构中的硅结晶粒度。通过上述方案，本发明提出了制造大晶粒多晶硅的方式，引入了作为硅晶粒聚集生长的晶核元素，如锗，使硅原子聚集进而加大结晶粒度，增加多晶硅结晶粒度可以减少晶界陷阱对载子的影响进而增加导电率，本发明还通过保护层的设置，防止导体填充结构中的锗对制程的影响，达到了导体填充结构与其他结构层之间的有效连接，进一步改善了导体填充结构的电学性能。

主权项

1.一种基于多晶硅制程的导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一基底，于所述基底中形成凹穴结构；以及2)同时通入硅源气体及锗源气体进行反应以于所述凹穴结构内形成导体填充结构，反应温度为380℃～420℃，所述硅源气体选自SiH₄、Si₂H₆及SiH₆Cl中的至少一种，所述锗源气体选自GeH4及Ge₂H₆中的至少一种，其中，所述锗源中的锗原子作为所述硅源中硅原子聚集生长的晶核，以增大形成的所述导体填充结构中硅结晶粒度，所述硅结晶粒度为500～1000埃；所述导体填充结构包括填孔导电层及间隙仓，所述间隙仓由所述填孔导电层的多晶硅之间的间隙构成，且所述填孔导电层包覆所述间隙仓，所述导体填充结构中的锗的重量百分比介于40％～60％之间。