[发明专利]热屏及单晶硅生长炉结构在审
| 申请号： | 201711368216.3 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN109930200A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;汪燕 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，所述热屏的屏底包含上层、下层及侧壁，所述侧壁连接于所述上层与所述下层之间且围成窗口，所述上层、所述下层、所述侧壁及屏壁围成一空腔，所述空腔填充有保温材料，所述上层与水平面呈第一角度偏向所述热屏内部倾斜，所述下层与水平面呈第二角度偏所述向熔体坩埚内部倾斜，所述下层包含朝所述空腔内部凹陷的弧面。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性，并且通过下层弧面的热反射，从而达到节能的效果。本发明可有效提高工艺效率，节约能源，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 下层 热屏 上层 单晶硅生长炉 侧壁 半导体制造领域 纵向温度梯度 保温材料 单晶硅 质量均匀性 侧壁连接 工艺效率 硅片径向 角度偏向 空腔内部 空腔填充 热反射 一空腔 凹陷 弧面 拉速 屏壁 熔体 轴向 坩埚 节能 节约 能源 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种用于单晶硅生长炉的热屏，其特征在于，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括屏壁及屏底，所述屏底设置于所述屏壁的底部，所述屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述屏底包含上层、下层及侧壁，所述侧壁连接于所述上层与所述下层之间且围成所述窗口，所述上层、所述下层、所述侧壁及所述屏壁围成一空腔，所述空腔填充有保温材料，所述上层与水平面呈第一角度偏向所述热屏内部倾斜，所述下层与水平面呈第二角度偏所述向熔体坩埚内部倾斜，所述下层包含朝所述空腔内部凹陷的弧面。
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