[发明专利]一种化学气相沉积方法及系统有效

专利信息
申请号: 201711366147.2 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN109930131B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 张臻贤;王珺
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明实施例公开了一种化学气相沉积方法及系统。方法包括如下步骤:在反应室内的衬底之上沉积薄膜;吹扫薄膜以及通过抽吸管道抽吸反应室内的气体,以带走沉积薄膜产生的颗粒;抽吸管道的入口端朝向薄膜的高度方向,且入口端的底部的内边缘低于衬底的基准面,入口端的顶部的内边缘高于薄膜的顶部;基准面是衬底用于沉积薄膜的一侧中靠近入口端的边缘的上表面。系统包括反应室;具有喷淋出口的沉积装置;位于喷淋出口下方的承载面;抽吸装置,抽吸装置包括抽吸管道;以及设置在反应室内的调整装置,调整装置用于调整承载面到喷淋出口的距离,用以实现抽吸管道的入口端的底部的内边缘低于基准面,入口端的顶部的内边缘高于衬底所沉积的薄膜的顶部。
搜索关键词: 一种 化学 沉积 方法 系统
【主权项】:
1.一种化学气相沉积方法,其特征在于,包括如下步骤:在反应室内的衬底之上沉积薄膜;以及吹扫所述薄膜以及通过抽吸管道抽吸所述反应室内的气体,以带走沉积所述薄膜产生的颗粒;其中,所述抽吸管道的入口端朝向所述薄膜的高度方向,且所述入口端的底部的内边缘低于所述衬底的基准面,所述入口端的顶部的内边缘高于所述薄膜的顶部;其中,所述基准面是所述衬底用于沉积薄膜的一侧中靠近所述入口端的边缘的上表面。
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