[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711351426.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109216458B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王参群;聂俊峰;戴巧婷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其制造方法。在一种制造半导体器件的方法中，形成均具有上部和下部的鳍结构。下部嵌入在设置在衬底上方的隔离绝缘层中，而上部从隔离绝缘层处突出。在每个鳍结构的上部上方形成栅极介电层。在栅极介电层上方形成导电层。在导电层上方形成覆盖层。利用覆盖层对鳍结构进行离子注入操作。使用不同的注入角度多次执行离子注入操作以将离子引入至每个鳍结构的一个侧面中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；以及对所述鳍结构执行离子注入操作，其中，使用不同的注入角度多次执行所述离子注入操作以将离子引入至所述鳍结构中的每个的一个侧面中。
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