[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上方形成鳍结构；

在所述鳍结构上方形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成导电层；

在所述导电层上方形成覆盖层；以及

在所述鳍结构上方依次形成所述栅极介电层、所述导电层和所述覆盖层之后，在所述栅极介电层、所述导电层和所述覆盖层之处对所述鳍结构执行离子注入操作，

其中，使用不同的注入角度多次执行所述离子注入操作以将离子引入至所述鳍结构中的每个的一个侧面中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述鳍结构在X方向上延伸，以及

所述不同的注入角度中的每个的角度θ被定义为由法线方向和Z方向和Y方向形成的ZY平面中的离子束方向形成的锐角，其中，所述法线方向是衬底的主表面的所述Z方向，所述Y方向垂直于所述Z方向和所述X方向。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过所述离子注入操作将氟离子注入至所述鳍结构中。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，通过所述离子注入操作将选自由P、As和BF₂组成的组中的至少一种元素的离子注入至所述鳍结构中。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，使用三至六个不同的注入角度来执行所述离子注入操作。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，离子的剂量随着注入角度增加而减小。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，对于每次注入操作，离子的剂量是恒定的。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，一次注入操作与另一次注入操作间的离子的剂量是不同的。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成各自具有上部和下部的鳍结构，所述下部嵌入在设置在衬底上方的隔离绝缘层内并且所述上部从所述隔离绝缘层突出；

在所述鳍结构的每个中的所述上部上方形成栅极介电层；

在所述栅极介电层上方形成导电层；

在所述导电层上方形成覆盖层；以及

在所述鳍结构上方依次形成所述栅极介电层、所述导电层和所述覆盖层之后，在所述栅极介电层、所述导电层和所述覆盖层之处利用所述覆盖层对所述鳍结构进行离子注入操作，

其中，使用不同的注入角度多次执行所述离子注入操作以将离子引入至所述鳍结构中的每个的一个侧面中。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述鳍结构在X方向上延伸，以及

所述不同的注入角度中的每个的角度θ被定义为由法线方向和由Z方向和Y方向形成的ZY平面中的离子束方向形成的锐角，其中，所述法线方向是衬底的主表面的所述Z方向，所述Y方向垂直于所述Z方向和所述X方向。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过所述离子注入操作将氟离子注入至所述鳍结构中。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述覆盖层包括非晶硅。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电层包括TiN。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述导电层之后且在形成所述覆盖层之前，执行退火操作。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述注入操作之后去除所述覆盖层。