[发明专利]MIM电容器的制作方法有效
| 申请号： | 201711350246.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109992B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 温州曼昔维服饰有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 325000 浙江省温州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MIM电容器的制作方法。所述MIM电容器的制作方法包括以下步骤：提供绝缘介质，在所述绝缘介质表面形成第一沟槽；对所述具有所述第二沟槽的绝缘介质进行第一次高温快速热退火；在所述绝缘介质的第一沟槽所在一侧形成氧化硅层，使得所述氧化硅层远离所述绝缘介质的表面也形成与所述第一沟槽对应第二沟槽；对所述氧化硅层进行真空高温快速退火使得所述第二沟槽的拐角处变光滑；采用腐蚀性溶液对所述氧化硅层远离所述绝缘介质的表面进行处理增加氧化硅层的表面粗糙度；在所述已增加表面粗糙度的氧化硅层上形成缓冲金属层及电容结构。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供绝缘介质，在所述绝缘介质表面形成第一沟槽；对所述具有所述第二沟槽的绝缘介质进行第一次高温快速热退火；在所述绝缘介质的第一沟槽所在一侧形成氧化硅层，使得所述氧化硅层远离所述绝缘介质的表面也形成与所述第一沟槽对应第二沟槽；对所述氧化硅层进行真空高温快速退火使得所述第二沟槽的拐角处变光滑；采用腐蚀性溶液对所述氧化硅层远离所述绝缘介质的表面进行处理增加氧化硅层的表面粗糙度；在所述已增加表面粗糙度的氧化硅层上形成缓冲金属层及电容结构。
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