[发明专利]基于SCR管的TSV转接板及其制备方法在审
申请号: | 201711349015.9 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108321154A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 李妤晨 | 申请(专利权)人: | 西安科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/768;H01L21/762;H01L23/538 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 710054 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基于SCR管的TSV转接板及其制备方法,该方法包括:选取衬底材料;在所述衬底材料内制备SCR管;刻蚀所述衬底材料在所述SCR管两侧形成隔离沟槽以形成器件区;刻蚀所述衬底材料在所述器件区两侧形成TSV;填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区;制备所述TSV区的第一端面和所述SCR管的互连线;在所述TSV区的第二端面制备金属凸点。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管,增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
搜索关键词: | 制备 衬底材料 隔离沟槽 器件区 刻蚀 抗静电能力 层叠封装 金属凸点 隔离区 互连线 填充 芯片 加工 | ||
【主权项】:
1.一种基于SCR管的TSV转接板的制备方法,其特征在于,包括:S101、选取衬底材料;S102、在所述衬底材料内制备SCR管;S103、刻蚀所述衬底材料在所述SCR管两侧形成隔离沟槽以形成器件区;S104、刻蚀所述衬底材料在所述器件区两侧形成TSV;S105、填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区;S106、制备所述TSV区的第一端面和所述SCR管的互连线;S107、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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