[发明专利]基于SCR管的TSV转接板及其制备方法

权利要求书

1.一种基于SCR管的TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：

S101、选取衬底材料；

S102、在所述衬底材料内制备SCR管；

S103、刻蚀所述衬底材料在所述SCR管两侧形成隔离沟槽以形成器件区；

S104、刻蚀所述衬底材料在所述器件区两侧形成TSV；

S105、填充所述隔离沟槽和所述TSV形成隔离区和TSV区；

S106、制备所述TSV区的第一端面和所述SCR管的互连线；

S107、在所述TSV区的第二端面制备金属凸点。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S102包括：

S1021、在所述衬底材料内制备SCR管的N阱区和P阱区；

S1022、在所述N阱区和所述P阱区制备SCR管的N阱接触区、阴极、P阱接触区和阳极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，S1021包括：

S10211、利用CVD工艺制备掩蔽层；

S10212、光刻所述N阱区图形，采用离子注入工艺进行N⁺注入，去除光刻胶，形成所述N阱区；

S10213、光刻所述P阱区图形，采用离子注入工艺进行P⁺注入，去除光刻胶，形成所述P阱区。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，S1022包括：

S10221、光刻所述N阱接触区和所述阴极图形，采用离子注入工艺进行N⁺注入，去除光刻胶，形成所述N阱接触区和所述阴极；

S10222、光刻所述P阱接触区和所述阳极图形，采用离子注入工艺进行P⁺注入，去除光刻胶，形成所述P阱接触区和所述阳极。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S105包括：

S1051、平整化所述TSV和所述隔离沟槽的内壁；

S1052、利用光刻工艺形成所述隔离沟槽的填充图形；

S1053、利用CVD工艺，在所述隔离沟槽内填充SiO₂形成所述隔离区；

S1054、利用光刻工艺形成所述TSV的填充图形；

S1055、利用物理气相淀积方法制作粘附层和种子层；

S1056、通过电化学淀积的方法对所述TSV进行填充以形成所述TSV区。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S106包括：

S1061、利用CVD工艺，在衬底材料上表面形成衬垫层和阻挡层，在所述SCR管上形成钨插塞；

S1062、淀积绝缘层，光刻铜互连图形，利用电化学镀铜工艺淀积铜，通过化学机械研磨工艺去除多余的铜，形成所述TSV区的第一端面和所述SCR管的互连线。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S107之前还包括：

x1、利用辅助圆片作为所述衬底材料上表面的支撑件；对所述衬底材料下表面进行减薄；

x2、利用CMP工艺，对所述衬底材料的下表面进行平整化处理，直到露出所述TSV区的第二端面。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，S107包括：

S1071、淀积绝缘层，在所述TSV区的第二端面光刻所述金属凸点的图形，利用电化学镀铜工艺淀积金属，通过化学机械研磨工艺去除多余的金属，在所述TSV区的第二端面形成所述金属凸点；

S1072、拆除所述辅助圆片。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底材料为Si衬底，厚度为150～250μ；所述TSV区和所述隔离区的深度为80～120μm。

10.一种基于SCR管的TSV转接板，其特征在于，所述TSV转接板由权利要求1～9任一项所述的方法制备形成。