[发明专利]半导体装置用接合线在审
| 申请号： | 201711344468.2 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107962313A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 山田隆;小田大造;榛原照男;大石良;斋藤和之;宇野智裕 | 申请（专利权）人： | 日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社 |
| 主分类号： | B23K35/02 | 分类号： | B23K35/02;B23K35/30;C22C5/04;C22C9/00;C22C9/04;C22C9/06;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述接合线包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素，在对与所述接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，与所述接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm。
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