[发明专利]FINFET器件及其形成方法

摘要

方法包括形成在隔离区域之上延伸的鳍。在鳍上方形成具有第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁的牺牲栅极堆叠件。在牺牲栅极堆叠件的第一侧壁上形成第一间隔件。在牺牲栅极堆叠件的第二侧壁上形成第二间隔件。在牺牲栅极堆叠件、第一间隔件和第二间隔件上方形成其中具有开口的图案化掩模层。图案化掩模层沿着第一间隔件的顶面和侧壁延伸。第二间隔件通过图案化掩模层中的开口暴露。使用图案化掩模层、牺牲栅极堆叠件、第一间隔件和第二间隔件作为组合掩模来图案化鳍以在鳍中形成凹槽。在凹槽中外延生长源极/漏极区域。本发明的实施例还涉及FinFET器件及其形成方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成在隔离区域之上延伸的鳍；在所述鳍上方形成牺牲栅极堆叠件，所述牺牲栅极堆叠件具有第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁；在所述牺牲栅极堆叠件的所述第一侧壁上形成第一间隔件；在所述牺牲栅极堆叠件的所述第二侧壁上形成第二间隔件；在所述牺牲栅极堆叠件、所述第一间隔件和所述第二间隔件上方形成图案化掩模层，所述图案化掩模层中具有开口，所述图案化掩模层沿着所述第一间隔件的顶面和侧壁延伸，所述第二间隔件通过所述图案化掩模层中的所述开口暴露；使用所述图案化掩模层、所述牺牲栅极堆叠件、所述第一间隔件和所述第二间隔件作为组合掩模来图案化所述鳍以在所述鳍中形成凹槽；以及在所述凹槽中外延生长源极/漏极区域。