[发明专利]一种红外探测器及其制造方法有效
申请号: | 201711337658.1 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108565310B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 康晓旭;李铭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;H01L27/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明揭示一种红外探测器及其制造方法。所述红外探测器包括:像元阵列区;非像元区,环绕所述像元阵列区;光刻shot间隔区,环绕所述像元阵列区、设置于所述像元阵列区和所述非像元区之间,所述光刻shot间隔区包括:多个电连接区,所述电连接区包括第一金属连接层以及设置于第一金属连接层入光侧的第一反射连接层,其中,位于所述电连接区两侧的所述像元阵列区和所述非像元区之间通过所述第一金属连接层和所述第一反射连接层电连接;多个光刻图形放置区,设置于多个所述电连接区之间。该红外探测器的结构所采用的拼接技术方案,能够满足大阵列成像所使用的红外成像探测器的制造工艺中,解决拼接工艺中拼接边界出现图形畸变等问题,提升产品的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器,其特征在于,所述红外探测器包括:像元阵列区;非像元区,环绕所述像元阵列区;光刻shot间隔区,环绕所述像元阵列区、设置于所述像元阵列区和所述非像元区之间,所述光刻shot间隔区包括:多个电连接区,所述电连接区包括第一金属连接层以及设置于所述第一金属连接层入光侧的第一反射连接层,其中,位于所述电连接区两侧的所述像元阵列区和所述非像元区之间通过所述第一金属连接层和所述第一反射连接层电连接;多个光刻图形放置区,设置于多个所述电连接区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的