[发明专利]一种红外探测器及其制造方法有效
申请号: | 201711337658.1 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108565310B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 康晓旭;李铭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18;H01L27/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 及其 制造 方法 | ||
1.一种MEMS红外探测器,其特征在于,所述红外探测器包括:
像元阵列区;
非像元区,环绕所述像元阵列区;
光刻shot间隔区,环绕所述像元阵列区、设置于所述像元阵列区和所述非像元区之间,所述光刻shot间隔区包括:
多个电连接区,所述电连接区包括第一金属连接层以及设置于所述第一金属连接层入光侧的第一反射连接层,其中,位于所述电连接区两侧的所述像元阵列区和所述非像元区之间通过所述第一金属连接层和所述第一反射连接层电连接;所述电连接区包括连接多个所述像元的多个所述第一反射连接层,每个第一反射连接层包括位于所述电连接区内的主体部和分别向两侧的所述像元阵列区和所述非像元区延伸的延伸部,所述主体部包括一重叠区域和两侧的非重叠区域;
多个光刻图形放置区,设置于多个所述电连接区之间。
2.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,所述像元阵列区呈矩形,所述红外探测器包括环绕所述像元阵列区设置的八个非像元区、八个所述非像元区与所述像元阵列区之间呈九宫格状排列;
所述光刻shot间隔区呈矩形环绕所述像元阵列区,所述光刻shot间隔区包括四个电连接区和四个光刻图形放置区,其中,四个所述电连接区设置于所述光刻shot间隔区的四条侧边,四个所述光刻图形放置区设置于所述光刻shot间隔区的四个角落,位于所述像元阵列区上侧、下侧、左侧和右侧的四个非像元区分别通过四个所述电连接区与所述像元阵列区电连接。
3.如权利要求2所述的红外探测器,其特征在于,所述像元阵列区包括多个像元,每个所述像元包括多个不连续的反射层,沿行方向或列方向上两个相邻的所述像元包括至少一对相互对应的所述反射层;
所述像元阵列区还包括第二反射连接层,所述第二反射连接层沿行方向或沿列方向电连接一对相互对应的所述反射层。
4.如权利要求3所述的红外探测器,其特征在于,所述红外探测器包括驱动模块,所述驱动模块设置于所述像元阵列区的上侧、下侧、左侧或者右侧的任一个所述非像元区中;
当所述驱动模块设置于所述像元阵列区的左侧或右侧的一个所述非像元区时,多个所述像元之间均沿行方向通过所述第二反射连接层电连接,且靠近所述驱动模块的所述像元与所述驱动模块之间通过沿行方向延伸的所述第一反射连接层电连接;
当所述驱动模块设置于所述像元阵列区的上侧或下侧的一个所述非像元区中时,多个所述像元之间均沿列方向通过所述第二反射连接层电连接,且靠近所述驱动模块的所述像元与所述驱动模块之间通过沿列方向延伸的所述第一反射连接层电连接。
5.如权利要求1所述的红外探测器,其特征在于,在距离所述电连接区第一距离内的所述延伸部的宽度为所述主体部的宽度的二分之一。
6.如权利要求5所述的红外探测器,其特征在于,所述重叠区域的厚度为所述非重叠区的厚度的两倍。
7.如权利要求5所述的红外探测器,其特征在于,相邻的两个所述延伸部之间的间距为所述延伸部宽度的3倍;所述电连接区内的两个相邻的所述主体部之间的间距与每个所述主体部的宽度相等。
8.如权利要求1至7之一所述的红外探测器,其特征在于,所述红外探测器包括呈矩阵排列的多个所述像元阵列区,每个所述像元阵列区的周围包括环绕其设置的八个所述非像元区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的