[发明专利]LED芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201711331485.2 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108087728A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 祁月红 申请(专利权)人: 苏州吉赛电子科技有限公司
主分类号: F21K9/20 分类号: F21K9/20;F21V7/00;F21K9/90;F21Y115/10
代理公司: 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 代理人: 仲崇明
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种LED芯片及其制作方法,其中,该LED芯片包括衬底以及形成于衬底上的外延层,外延层包括依次形成于衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层,衬底由透明材质制得,衬底内分散有颗粒状的第一反射单元和第二反射单元,第一反射单元的粒径小于第二反射单元的粒径,且第一反射单元和第二反射单元的粒径都大于LED芯片的出射光的波长。这样,入射到透明衬底内的光线会被第一反射单元和第二反射单元有效反射回出光方向,且尺寸不一的反射单元保证了对更多波长范围的光线的反射效果,第一反射单元和第二反射单元通过预搅拌的方式分散在熔融的玻璃材质中,并在冷却成型后直接切割成衬底,制作工艺简单,有效控制了LED芯片的制作成本。
搜索关键词: 反射单元 衬底 粒径 半导体层 外延层 制作 玻璃材质 反射效果 冷却成型 透明材质 有效反射 有效控制 直接切割 制作工艺 出射光 多波长 发光层 颗粒状 预搅拌 波长 熔融 入射 透明 保证
【主权项】:
1.一种LED芯片,其特征在于,包括衬底以及形成于所述衬底上的外延层,所述外延层包括依次形成于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述衬底由透明材质制得,所述衬底内分散有颗粒状的第一反射单元和第二反射单元,所述第一反射单元的粒径小于第二反射单元的粒径,且所述第一反射单元和第二反射单元的粒径都大于LED芯片的出射光的波长。
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