[发明专利]LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述衬底由透明材质制得，所述衬底内分散有颗粒状的第一反射单元和第二反射单元，所述第一反射单元的粒径小于第二反射单元的粒径，且所述第一反射单元和第二反射单元的粒径都大于LED芯片的出射光的波长。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一反射单元和第二反射单元为金属颗粒。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一反射单元和第二反射单元之间的间距为0.01～3μm。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底的材质为透明玻璃。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一反射单元和第二反射单元固定于所述衬底的内部。

6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：

S1、在熔融状态的玻璃材质中加入颗粒状的第一反射单元和第二反射单元，并搅拌均匀，待冷却凝固后，切割形成衬底；其中，所述第一反射单元的粒径小于第二反射单元的粒径，且所述第一反射单元和第二反射单元的粒径都大于LED芯片的出射光的波长

S2、在所述衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，制得LED芯片。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一反射单元和第二反射单元为金属颗粒，且步骤S1中熔融状态的玻璃材质的温度低于所述第一反射单元和第二反射单元的熔点。

8.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一反射单元和第二反射单元之间的间距为0.01～3μm。