[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

摘要

本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽表面的第一P型扩散区、形成于所述第二沟槽表面的第二P型扩散区、形成于所述第一沟槽与第二沟槽中及所述N型外延层上的P型外延层、贯穿所述P型外延层且延伸至所述第一沟槽与第二沟槽之间的N型外延层中的N型注入区、及形成于所述N型注入区表面的P型注入区。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽表面的第一P型扩散区、形成于所述第二沟槽表面的第二P型扩散区、形成于所述第一沟槽与第二沟槽中及所述N型外延层上的P型外延层、贯穿所述P型外延层且延伸至所述第一沟槽与第二沟槽之间的N型外延层中的N型注入区、及形成于所述N型注入区表面的P型注入区，所述P型注入区与所述N型注入区构成第一二极管，所述N型注入区下方的N型外延层与所述P型衬底构成第二二极管，所述第一沟槽上方的P型外延层、所述第一沟槽中的P型外延层、所述第一P型扩散区与所述N型外延层构成第三二极管，所述第一沟槽下方的N型外延层与所述P型衬底构成第四二极管，所述第二沟槽上方的P型外延层、所述第二沟槽中的P型外延层、所述第二P型扩散区与所述N型外延层构成第五二极管，所述第一沟槽下方的N型外延层与所述P型衬底构成第六二极管。