[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201711314000.9 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN108054220A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 傅林坚;沈文杰;谷士斌;任明冲;侯洪涛;周学谦;宋元恒;蔡蔚 | 申请(专利权)人: | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 周世骏 |
地址: | 312300 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池技术,旨在提供一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。该电池包括位于中间层的硅片、覆盖在硅片两侧的非晶硅层、覆盖在非晶硅层表面的透明导电膜层,以及若干个同时贯通硅片、非晶硅层和透明导电膜层的通孔;在通孔中填充导电材料,导电材料与两侧透明导电膜层之间绝缘;在正面透明导电膜层上仅设置细栅电极,在背面透明导电膜层上同时设置细栅电极和主栅电极,通孔中导电材料同时连接正面细栅线和背面主栅电极,但不与背面细栅电极相连。本发明中制备工艺简单,能使正面遮光面积减少一半以上,发电效率相对于传统技术能提高2%以上。本发明提供了更多的空间用于优化电池正面的细栅电极线条形状,提供美化电池的设计空间。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅异质结太阳能电池,包括位于中间层的硅片、覆盖在硅片两侧的非晶硅层,以及覆盖在非晶硅层表面的透明导电膜层;其特征在于,该太阳能电池还包括若干个同时贯通硅片、非晶硅层和透明导电膜层的通孔,在通孔中填充有导电材料,导电材料与两侧的透明导电膜层之间绝缘;在正面的透明导电膜层上仅设置细栅电极,在背面的透明导电膜层上同时设置细栅电极和主栅电极,所述通孔中的导电材料同时连接正面的细栅线和背面的主栅电极,但不与背面的细栅电极相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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