[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池，包括位于中间层的硅片、覆盖在硅片两侧的非晶硅层，以及覆盖在非晶硅层表面的透明导电膜层；其特征在于，该太阳能电池还包括若干个同时贯通硅片、非晶硅层和透明导电膜层的通孔，在通孔中填充有导电材料，导电材料与两侧的透明导电膜层之间绝缘；在正面的透明导电膜层上仅设置细栅电极，在背面的透明导电膜层上同时设置细栅电极和主栅电极，所述通孔中的导电材料同时连接正面的细栅线和背面的主栅电极，但不与背面的细栅电极相连。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述通孔的孔径在100um-5mm之间，单个电池片上的开孔数量在2-100个之间。

3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述通孔的横截面形状是圆形、方形或三角形。

4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述通孔与背面的细栅电极的间距大于5um。

5.一种制备权利要求1所述硅异质结太阳能电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)按照预设的位置和数量，在硅片上打孔；

(2)在打孔后的硅片的正面和背面分别沉积非晶硅，形成非晶硅层；

(3)在正面和背面的非晶硅层上分别沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；

(4)对硅片上的通孔进行防短路处理，然后向通孔中填入导电材料；

(5)在正面的透明导电膜层上布置细栅电极，在背面的透明导电膜层上布置细栅电极和主栅电极，使通孔中的导电材料同时连接正面的细栅线和背面的主栅电极，但不与背面的细栅电极相连。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的打孔是使用激光打孔。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(1)完成之后，先对硅片进行碱腐、制绒与清洗处理，然后进行退火处理。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，对硅片上的通孔进行防短路处理是以掩模方式实现的，向通孔中填入导电材料是通过丝网印刷或者点胶的方式实现的。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的细栅电极和主栅电极是银浆电极，通过丝网印刷方式布置在透明导电膜层上。