[发明专利]半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711299201.6 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107994067B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 李友洪 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/265 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;李余江 |
| 地址： | 318050 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述两个沟槽中的多晶硅、形成于所述两个沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述两个沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述两个沟槽另外一侧的N型注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述两个沟槽中的多晶硅、形成于所述两个沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述两个沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述两个沟槽另外一侧的N型注入区。
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