[发明专利]半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区与第二P型注入区、形成于所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区表面的N型外延层、贯穿所述N型外延层且分别对应所述第一P型注入区与第二P型注入区的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽中的多晶硅、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽一侧的N型外延层表面的第三P型注入区、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的N型外延层表面的第四P型注入区、及形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽另外一侧的N型注入区。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括介质层，所述介质层形成于所述N型外延层上、所述第三P型注入区上、所述第四P型注入区上、所述多晶硅上、及所述N型注入区上。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述介质层包括第一通孔、第二通孔、第三通孔及第四通孔，所述第一通孔对应所述第一沟槽的多晶硅，所述第二通孔对应所述第二沟槽的多晶硅，所述第三通孔对应所述第三P型注入区、所述第四通孔对应所述第四P型注入区。

4.如权利要求3所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括金属层，所述金属层形成于所述介质层上方，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分通过所述第一通孔及第三通孔连接所述第一沟槽的多晶硅及所述第三P型注入区，所述第二部分通过所述第二通孔及所述第四通孔连接所述第二沟槽的多晶硅及所述第四P型注入区。

5.如权利要求1所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于；所述第三P型注入区的深度小于所述N型注入区的深度。

6.一种半导体功率器件，其包括有源区及形成于所述有源区外围的终端结构，其特征在于：所述终端结构采用如权利要求1-5项任意一项所述的半导体功率器件的终端结构。

7.一种半导体功率器件的终端结构的制作方法，其包括如下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底表面形成第一P型注入区及第二P型注入区，在所述N型衬底、所述第一及第二P型注入区上形成N型外延层；

使用第一光刻胶作为掩膜，分别对所述N型外延层表面进行P型离子注入及N型离子注入形成第三P型注入区及N型注入区，去除所述第一光刻胶；

在所述N型外延层上、所述第三P型注入区及所述N型注入区上形成氧化硅层，使用第二光刻胶作为掩膜，对介质层进行刻蚀形成贯穿所述氧化硅层的第一刻蚀窗口及第二刻蚀窗口，所述第一及第二刻蚀窗口分别对应所述第一及第二P型注入区，去除所述第二光刻胶；

使用所述氧化硅层作为掩膜，利用所述第一及第二刻蚀窗口对所述N型外延层进行刻蚀，从而形成贯穿所述N型外延层且对应所述第一P型注入区的第一沟槽及贯穿所述N型外延层且对应所述第二P型注入区的第二沟槽；

在所述第一及第二沟槽中、所述第一及第二刻蚀窗口中、及所述氧化硅层上形成多晶硅，所述第一及第二沟槽中的多晶硅分别连接所述第一及第二P型注入区；

去除所述第一及第二刻蚀窗口中、所述氧化硅层上的多晶硅，使得所述第一及第二沟槽中的多晶硅被保留；

去除所述氧化硅层，使用第三光刻胶作为掩膜，对所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的N型外延层进行P型离子注入；及

去除所述第三光刻胶，进行热退火激活所述P型离子形成第四P型注入区。

8.如权利要求7所述的半导体功率器件的终端结构的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括如下步骤：在所述N型外延层上、所述第一及第二沟槽的多晶硅上、所述第三及第四P型注入区上形成介质层；及在所述介质层中形成对应所述第一沟槽的多晶硅的第一通孔、对应所述第二沟槽的多晶硅的第二通孔、对应所述第三P型注入区的第三通孔及对应所述第四P型注入区的第四通孔。