[发明专利]半导体功率器件的终端结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法。所述半导体功率器件包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延层表面第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、贯穿所述第二N型外延的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延上的第三层N型外延、形成于所述第三层N型外延的第三P型注入区、形成于所述第三层N型外延的第四N型外延、形成于所述第四N型外延表面的第四P型注入区、第五P型注入区、及N型注入区、贯穿所述第四P型注入区及所述第四层N型外延且延伸至所述第三P型注入区中的沟槽、及形成于所述沟槽中的多晶硅。

主权项

1.一种半导体功率器件，其具有源区及位于所述有源区外围的终端结构，其特征在于；所述半导体功率器件包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延层表面第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、贯穿所述第二N型外延的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延上的第三层N型外延、形成于所述第三层N型外延的第三P型注入区、形成于所述第三层N型外延上的第四N型外延、形成于所述第四N型外延表面的第四P型注入区、第五P型注入区、及N型注入区、贯穿所述第四P型注入区及所述第四层N型外延且延伸至所述第三P型注入区中的沟槽、及形成于所述沟槽中的多晶硅，其中，所述第一至第四P型注入区及所述N型注入区均位于所述终端结构，所述第五P型注入区为主结且位于所述有源区，所述第一P型注入区的数量、所述第二P型注入区的数量及所述第三P型注入区的数量依次增多，所述第一P型注入区邻近所述有源区且与其中一个所述第二P型注入区相连接，每个第二P型注入区均与一个第三P型注入区对应且相连接，每个第三P型注入区通过所述沟槽中的多晶硅连接对应的一个第四P型注入区。