[发明专利]半导体功率器件的终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件，其具有源区及位于所述有源区外围的终端结构，其特征在于；所述半导体功率器件包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、贯穿所述第二层N型外延的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延上的第三层N型外延、形成于所述第三层N型外延的第三P型注入区、形成于所述第三层N型外延上的第四层N型外延、形成于所述第四层N型外延表面的第四P型注入区、第五P型注入区及N型注入区、贯穿所述第四P型注入区及所述第四层N型外延且延伸至所述第三P型注入区中的沟槽、及形成于所述沟槽中的多晶硅，其中，所述第一至第四P型注入区及所述N型注入区均位于所述终端结构，所述第五P型注入区为主结且位于所述有源区，所述第一P型注入区的数量、所述第二P型注入区的数量及所述第三P型注入区的数量依次增多，所述第一P型注入区邻近所述有源区且与其中一个所述第二P型注入区相连接，每个第二P型注入区均与一个第三P型注入区对应且相连接，每个第三P型注入区通过所述沟槽中的多晶硅连接对应的一个第四P型注入区。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：所述半导体功率器件还包括氧化硅层，所述氧化硅层位于所述第四层N型外延上、所述N型注入区上、所述第五P型注入区上、所述第四P型注入区上、及所述沟槽中的多晶硅上。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于：所述氧化硅层的至少部分还延伸至所述第四P型注入区的沟槽中。

4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于：相邻两个所述第四P型注入区之间的间距沿着远离所述第五P型注入区的方向逐渐增加。

5.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于；所述半导体功率器件的终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、贯穿所述第二层N型外延的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延上的第三层N型外延、形成于所述第三层N型外延的第三P型注入区、形成于所述第三层N型外延上的第四层N型外延、形成于所述第四层N型外延表面的第四P型注入区及N型注入区、贯穿所述第四P型注入区及所述第四层N型外延且延伸至所述第三P型注入区中的沟槽、及形成于所述沟槽中的多晶硅，其中，所述第一P型注入区的数量、所述第二P型注入区的数量及所述第三P型注入区的数量依次增多，所述第一P型注入区邻近有源区且与其中一个所述第二P型注入区相连接，每个第二P型注入区均与一个第三P型注入区对应且相连接，每个第三P型注入区通过所述沟槽中的多晶硅连接对应的一个第四P型注入区。

6.如权利要求5所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括氧化硅层，所述氧化硅层位于所述第四层N型外延上、所述N型注入区上、所述第四P型注入区上、及所述沟槽中的多晶硅上。

7.如权利要求6所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述氧化硅层的至少部分还延伸至所述第四P型注入区的沟槽中。

8.如权利要求5所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：相邻两个所述第四P型注入区之间的间隔沿着远离所述N型注入区的方向逐渐减小。