[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置。存储器阵列(10)除了分别包含单元晶体管(TC)和与该单元晶体管(TC)的一端连接的变阻元件(RR)的多个存储器单元(11)呈矩阵状配置之外，还具备具有MOS晶体管(MTC)的单元晶体管能力测定单元(12)。利用单元晶体管能力测定单元(12)，使变阻元件(RR)的低电阻状态以及高电阻状态的电阻值与单元晶体管(TC)的偏差无关地稳定化，从而非易失性半导体存储装置的读出特性以及可靠性特性得以提升。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：存储器单元，包括第1晶体管和与所述第1晶体管连接的变阻元件；第1数据线，与所述变阻元件连接；第2数据线，与所述第1晶体管连接；单元晶体管能力测定单元，与所述第1数据线和所述第2数据线连接，并且包括第2晶体管；位线驱动器，对所述第1数据线进行驱动；源极线驱动器，对所述第2数据线进行驱动；位线调整器，供给第1电压；源极线调整器，供给第2电压；位线开关，被配置在所述位线驱动器与所述位线调整器之间；和源极线开关，被配置在所述源极线驱动器与所述源极线调整器之间，所述位线开关选择将所述第1电压或第3电压供给到所述位线驱动器，所述位线驱动器将所述第1电压或所述第3电压施加到所述第1数据线，所述源极线开关选择将所述第2电压或第4电压供给到所述源极线驱动器，所述源极线驱动器将所述第2电压或所述第4电压施加到所述第2数据线。